[实用新型]封装结构

说明书

本实用新型公开了一种封装结构，该封装结构包括：芯片单元，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有感应区域以及与所述感应区域电连接的焊垫；盖板，与所述芯片单元的第一表面相对设置；遮光层，覆盖所述芯片单元的第二表面，所述遮光层选自TiN、Ge、TiW或TaN。本实用新型的遮光材料选自TiN、Ge、TiW或TaN等，具有更好的稳定性能，且光通量低、耐热冲击。特别的，当遮光材料为TiN时，在暴露焊垫的刻蚀中，可以采用干法刻蚀依次刻蚀TiN和绝缘层，干法刻蚀采用的气体相同，在同一刻蚀流程中即可实现绝缘层和遮光层的去除。

技术领域

本实用新型是关于半导体封装技术领域，特别是关于一种封装结构。

背景技术

影像传感器芯片作为一种可以将光学图像转换成电子信号的芯片，其具有感应区域。硅因为在1000-7000nm红外波段以及远红外波段具有较好的透光能力，近红外光(750-1400nm)、短波长红外光(1400-3000nm)以及中波长红外光(3000-8000nm)可以透过硅层。因此在特定光源下，芯片背面的红外光会透光Si层干扰正面感应区域，造成影响失真。

为了解决该问题，现有技术中通常在硅背面设置一层金属遮光层，用来防止外部光线通过硅材质，影响芯片的成像质量。现有技术中，这层金属遮光层为Al，随着芯片的使用时间越来越来长，金属Al容易迁移，造成芯片线路短路，引起芯片使用失效。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种封装结构，其能够克服现有技术中因为采用金属Al，容易发生Al迁移，造成芯片线路短路，引起芯片使用失效等问题。

为实现上述目的，本实用新型的实施例提供了一种封装结构，包括：

芯片单元，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有感应区域以及与所述感应区域电连接的焊垫；

盖板，与所述芯片单元的第一表面相对设置；

遮光层，覆盖所述芯片单元的第二表面，所述遮光层选自TiN、Ge、TiW或TaN。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，所述封装结构还包括：

从所述芯片单元的第二表面贯穿所述芯片单元的过孔，所述过孔暴露出所述焊垫；

覆盖所述芯片单元第二表面和所述过孔侧壁表面的绝缘层；

位于所述绝缘层表面且与所述焊垫电连接的金属层；

位于所述金属层表面和过孔内的阻焊层，所述阻焊层具有暴露出部分所述金属层的开孔；

填充所述开孔，并暴露在所述阻焊层表面之外的焊接凸起。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，所述的遮光层形成于所述绝缘层和金属层之间。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，所述的遮光层形成于阻焊层表面。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，遮光层的厚度0.1～0.13um。

与现有技术相比，本实用新型的遮光材料选自TiN、Ge、TiW或TaN等，具有更好的稳定性能，且光通量低、耐热冲击。特别的，当遮光材料为TiN时，在暴露焊垫的刻蚀中，可以采用干法刻蚀依次刻蚀TiN和绝缘层，干法刻蚀采用的气体相同，在同一刻蚀流程中即可实现绝缘层和遮光层的去除。

附图说明

图1至9是根据本实用新型实施例1的封装结构的中间结构示意图；

图10是根据本实用新型实施例2的封装结构的示意图。