[实用新型]一种适用于高速激光器芯片封装的硅基板

权利要求书

1.一种适用于高速激光器芯片封装的硅基板，其特征在于，包括：硅衬底，在所述硅衬底的表面设有共面波导结构，在所述硅衬底的信号线两侧的接地金属区还分布有通孔；在所述硅衬底的背面设有金属接地层，其中，所述接地金属区与所述金属接地层连接；所述硅衬底的背面还贴合有低阻硅片。

2.根据权利要求1所述的适用于高速激光器芯片封装的硅基板，其特征在于，所述硅衬底的厚度为100～500um之间。

3.根据权利要求1所述的适用于高速激光器芯片封装的硅基板，其特征在于，所述共面波导结构采用钛、金、铝、铜、银或铂制成；和/或，所述共面波导结构的厚度在0.1～2μm。

4.根据权利要求1所述的适用于高速激光器芯片封装的硅基板，其特征在于，所述接地金属区采用钛、金、铝、铜、银或铂制成；和/或，所述接地金属区的厚度在0.1～2μm。

5.根据权利要求1所述的适用于高速激光器芯片封装的硅基板，其特征在于，所述金属接地层采用钛、铜、铝、银或锡制成。

6.根据权利要求1所述的适用于高速激光器芯片封装的硅基板，其特征在于，所述通孔内填充有第一导电材料，其中，所述第一导电材料包括：钛、金、铜或铝。

7.根据权利要求1或6所述的适用于高速激光器芯片封装的硅基板，其特征在于，在所述通孔的侧壁还设有一层二氧化硅，所述二氧化硅的厚度范围0.1～1μm。

8.根据权利要求1至6任一项所述的适用于高速激光器芯片封装的硅基板，其特征在于，在所述硅衬底和所述金属接地层之间还设有一层二氧化硅，所述二氧化硅的厚度范围0.1～1μm。

9.根据权利要求1至6任一项所述的适用于高速激光器芯片封装的硅基板，其特征在于，所述硅衬底的背面通过第二导电材料贴合所述低阻硅片，所述第二导电材料包括金-锡、铜-锡或银-锡共晶薄膜。

10.根据权利要求1至6任一项所述的适用于高速激光器芯片封装的硅基板，其特征在于，所述低阻硅片的厚度为100～500um。