[实用新型]一种用于反应熔体浸渗的工艺装置

权利要求书

1.一种用于反应熔体浸渗的工艺装置，其特征在于，包括：坩埚Ⅰ(1)，至少一个坩埚Ⅱ(3)，盖板(2)和顶板(8)；

其中，所述坩埚Ⅰ(1)和坩埚Ⅱ(3)均设置为石墨材质的圆筒状顶部开口结构，坩埚Ⅰ(1)放置于工艺装置的最底部，坩埚Ⅰ(1)的顶部开口处放置有盖板(2)，上方依次放置坩埚Ⅱ(3)和盖板(2)，位于最上端坩埚Ⅱ(3)的盖板(2)上放置有顶板(8)；

每层所述盖板(2)的中心开设有圆形通气孔(9)，每层盖板(2)上端放置有石墨纸(4)，且石墨纸(4)上铺设有碳粉(7)，用于在采用所述工艺装置进行RMI工艺的过程中，将从通气孔(9)溢散发出来的硅蒸气及时吸收。

2.根据权利要求1所述的用于反应熔体浸渗的工艺装置，其特征在于，

所述坩埚Ⅰ(1)和每个坩埚Ⅱ(3)的顶端为环形开口结构，环形开口结构的圆周边缘设置有环状阶梯槽，用以安装盖板(2)；

放置于所述坩埚Ⅰ(1)和每个坩埚Ⅱ(3)上放置的盖板(2)底部圆周边缘设有与相应坩埚进行配合安装的阶梯槽，使得坩埚Ⅰ(1)与配合使用的盖板(2)内部形成独立的反应室Ⅰ(1a)，且每个坩埚Ⅱ(3)与配合使用的盖板(2)内部形成独立的反应室Ⅱ(3a)。

3.根据权利要求1所述的用于反应熔体浸渗的工艺装置，其特征在于，

每个所述盖板(2)顶端的圆周边缘设有环形凸台，其通气孔(9)周边设置有等高的环形凸台，用于在两个环形凸台之间放置石墨纸(4)和碳粉(7)。

4.根据权利要求1所述的用于反应熔体浸渗的工艺装置，其特征在于，

每个所述坩埚Ⅱ(3)的底端设置有5～10道环形凸台(6)，用于阻止并降低硅蒸气的溢出速率，增加碳粉(7)与硅蒸气的反应时间，减少扩散进入炉膛内部的硅蒸气。

5.根据权利要求4所述的用于反应熔体浸渗的工艺装置，其特征在于，

所述环形凸台的数量根据坩埚Ⅱ(3)的直径进行配置，且环形凸台的高度为6mm，宽度为5mm，角度为45°。

6.根据权利要求4所述的用于反应熔体浸渗的工艺装置，其特征在于，

每个所述坩埚Ⅱ(3)的底端外圆凸台上对称均匀布设有四个气流槽(5)，用于使得反应室中残余的硅蒸气经该气流槽(5)最终进入到炉膛内部。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的用于反应熔体浸渗的工艺装置，其特征在于，

所述顶板(8)为石墨材质的圆形结构，且顶板(8)的底部结构、厚度与所述坩埚Ⅱ(3)相同，底端设置有5～10道环形凸台(6)，且底端外圆凸台上对称均匀布设有四个气流槽(5)。