[实用新型]一种具有预充电功能的升压电路及电荷泵电路有效

专利信息
申请号: 202220686269.X 申请日: 2022-03-28
公开(公告)号: CN216490217U 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 温靖康;刘梦 申请(专利权)人: 芯天下技术股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H02M3/158
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈椅行
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 充电 功能 升压 电路 电荷
【权利要求书】:

1.一种具有预充电功能的升压电路,应用在电荷泵电路中,包括两个对称设置的传输单元(110),两个所述传输单元(110)在时钟信号作用下工作过程互补,其特征在于,所述传输单元(110)包括:

第一输入端(111),用于接入第一输入信号;

第一输出端(112),用于输出第一输出信号;

第一时钟接入端(113),用于通过控制电容Cc接入第一时钟信号;

第二时钟接入端(114),用于通过传输电容Ct接入第二时钟信号,所述第一时钟信号与所述第二时钟信号同相;

预充电模块(115),与所述控制电容Cc的输出端连接,用于对所述控制电容Cc的输出端一侧进行预充电。

2.根据权利要求1所述的具有预充电功能的升压电路,其特征在于,所述预充电模块(115)包括:

预充电接入端(1151),用于接入充电电压信号;

第一NMOS管NM1,其栅极及漏极均与所述预充电接入端(1151)连接,其源极与所述控制电容Cc的输出端连接,其衬底接地。

3.根据权利要求1所述的具有预充电功能的升压电路,其特征在于,所述传输单元(110)还包括:

第二NMOS管NM2,其漏极与所述控制电容Cc的输出端连接,其衬底接地,其源极与所述第一输入端(111)连接;

第三NMOS管NM3,其源极与所述第一输入端(111)连接,其漏极与所述传输电容Ct的输出端连接,其栅极与第二NMOS管NM2栅极连接,并与另一所述传输单元(110)的所述控制电容Cc的输出端连接;

第一PMOS管PM1,其漏极与所述第三NMOS管NM3漏极连接,其栅极与另一所述传输单元(110)的所述第一PMOS管PM1漏极连接,其源极与所述第一输出端(112)连接。

4.根据权利要求3所述的具有预充电功能的升压电路,其特征在于,所述第三NMOS管NM3的源极和衬底连接。

5.根据权利要求3所述的具有预充电功能的升压电路,其特征在于,所述第一PMOS管PM1的源极和衬底连接。

6.根据权利要求2所述的具有预充电功能的升压电路,其特征在于,所述充电电压信号为供电电压。

7.一种电荷泵电路,用于产生存储芯片执行指令所需的操作电压,所述电荷泵电路包括多个依次连接的具有预充电功能的升压电路(100),所述升压电路(100)包括两个对称设置的传输单元(110),两个所述传输单元(110)在时钟信号作用下工作过程互补,其特征在于,所述传输单元(110)包括:

第一输入端(111),用于接入第一输入信号;

第一输出端(112),用于输出第一输出信号;

第一时钟接入端(113),用于通过控制电容Cc接入第一时钟信号;

第二时钟接入端(114),用于通过传输电容Ct接入第二时钟信号,所述第一时钟信号与所述第二时钟信号同相;

预充电模块(115),与所述控制电容Cc的输出端连接,用于对所述控制电容Cc的输出端一侧进行预充电;

第一级所述升压电路(100)的所述第一输入端(111)接入的所述第一输入信号为供电电压,其余所述升压电路(100)的所述第一输入端(111)接入的所述第一输入信号为其前一级所述升压电路(100)输出的所述第一输出信号。

8.根据权利要求7所述的电荷泵电路,其特征在于,第一级所述升压电路(100)的所述第一输入端(111)通过静电释放模块(200)接入所述供电电压。

9.根据权利要求8所述的电荷泵电路,其特征在于,所述静电释放模块(200)包括:第二PMOS管PM2,其源极及衬底与所述供电电压连接,其漏极与第一级所述升压电路(100)的所述第一输入端(111)连接,其栅极通过接地MOS管或电阻R1接地。

10.根据权利要求9所述的电荷泵电路,其特征在于,当所述第二PMOS管PM2栅极通过接地MOS管接地时,所述接地MOS管源极与所述第二PMOS管PM2栅极连接,所述接地MOS管栅极连接供电电压,所述接地MOS管衬底和漏极接地。

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