[实用新型]半导体处理装置和半导体处理系统

权利要求书

1.一种半导体处理装置，其特征在于：其包括：

具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室；

具有第二支撑区的上腔室，其中当上腔室与下腔室闭合时，晶圆放置于第一支撑区和第二支撑区之间；

紧邻所述上腔室和/或所述下腔室设置的温控组件，其通过调整自身的温度来调整所述上腔室和/或所述下腔室的温度；

第一支撑区或第二支撑区的边缘区域形成的第一通道，第一通道提供第一空间用于流通腐蚀晶圆边缘区域的一种或多种化学流体。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，其中上腔室和/或下腔室包括定位结构，所述定位结构用于抵靠晶圆的边缘外端并使晶圆的中心轴与第二支撑区的中心轴对齐。

3.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，定位结构设置于上腔室上，所述定位结构为凸起部分，所述凸起部分用于抵靠晶圆的边缘外端并使晶圆的中心轴与第二支撑区的中心轴对齐。

4.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室的凸起部分毗邻第二支撑区并朝下腔室延伸，晶圆的中心轴垂直于晶圆的上表面，第二支撑区的中心轴垂直于上腔室的下表面，晶圆的上表面平行于第二支撑区的下表面，所述凸起部分包括围绕晶圆外端设计成圈状的弯曲部分，并且凸起部分均匀地抵靠在晶圆的边缘外端区域，使晶圆的中心轴与第二个支撑区的中心轴重叠。

5.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述凸起部分包括多个突块，其呈环状均匀分布在晶圆外端周围，用于均匀地抵靠在晶圆边缘的外端区域。

6.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其特征在于，所述凸起部分包括与所述第二支撑区的中心轴成一定角度倾斜的内表面，该内表面抵靠在晶圆的边缘外端区域。

7.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其特征在于，所述凸起部分包括面向第二支撑区中心轴的内角，该内角抵靠在晶圆的边缘外端区域。

8.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，其中第一槽道位于下腔室的边缘区域，并提供流动一种或多种化学流体的第一槽道空间，同时在上腔室和下腔室之间形成一个过道，该过道连接第一空间和第一槽道空间，使得一种或多种化学流体通过该过道从第一空间流入第一槽道空间。

9.根据权利要求8所述的半导体处理装置，其特征在于，其中第二槽道形成在上腔室的边缘区域并位于第一槽道上方，

第一槽道与第二槽道之间设置有弹性部件，该弹性部件用于阻挡一种或多种化学流体从第一空间流向第一槽道空间，

第二支撑区的边缘区域形成第一通道，并且一种或多种化学流体通过位于上腔室的第一通孔在第一空间和装置外部之间流通，

其中第一支撑区的边缘区域形成第二通道，提供第二空间来流通用于腐蚀晶圆边缘区域的一种或多种化学流体，

下腔体提供第二通孔用来实现一种或多种化学流体在下腔体的第二空间与装置外部之间的流通，

第一支撑区的边缘区域构成第一通道，下腔室包括第一通孔，一种或多种化学流体通过位于下腔室的第一通孔在第一空间和装置外部流通。

10.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，

利用所述温控组件调整所述上腔室和/或所述下腔室的温度，从而利用所述上腔室和/或所述下腔室的热胀冷缩特性，微调所述定位结构的位置，进而调整晶圆的中心轴与第二支撑区的中心轴的对齐精度。

11.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，

所述温控组件设置有预设温度值，使得上腔室与下腔室闭合，对所述晶圆的边缘进行腐蚀；

对所述晶圆的边缘腐蚀效果进行测量，确定测量出来的边缘腐蚀效果是否满足要求，如果不满足要求，则升高或降低所述温控组件的温度值，继续对所述晶圆的边缘进行腐蚀并对所述晶圆的边缘腐蚀效果进行测量，直到测量出的边缘腐蚀效果满足要求。