[实用新型]阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 202220644648.2 | 申请日: | 2022-03-23 |
公开(公告)号: | CN216958036U | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 卢劲松;洪文进;许哲豪;郑浩旋 | 申请(专利权)人: | 北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L51/52;G09F9/30;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 田甜 |
地址: | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本申请适用于显示技术领域,提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括依次层叠设置的第一基底、柔性衬底以及导电层,柔性衬底的至少一侧凸出第一基底的相应侧边形成外延部,外延部用于向背离第一基底所在侧翻转;外延部上形成有遮光层。显示面板包括阵列基板和与阵列基板相对设置的彩膜层,外延部弯折至彩膜层背离阵列基板的一面,并将彩膜层的相应侧壁包覆其中。本申请提供的阵列基板、显示面板及显示装置,更利于超窄边框产品的制作。
技术领域
本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
目前显示面板逐渐朝向窄边框化和超窄边框化方向发展,这就对显示面板边框区域的设计提出了相应的要求,要求显示面板四周的边框区域宽度尽可能小。如大尺寸(≥55寸)电视、商显拼接屏等产品都向着超窄边框化发展,其好处是超窄边框显示产品具有更大的屏占比,可以提升视觉效果,让用户感受到更加震撼的画面。
为实现显示面板超窄边框需求,通常的做法包括以下两种方式:第一种方式,采用G-COF(Chip on Flex,行扫描信号外接集成电路)设计,而非主流的GOA(Gate Driven OnArray,阵列基板上栅极集成驱动)设计,采用这一方式因为需要额外使用COF会增加成本;第二种方式,将显示面板四周区域的电路布线设计的更细,以使四周整体宽度变窄,但是采用这一方式会降低产品设计冗余,不利于高阶产品设计,且会有产品信赖性风险。
因此,基于如上方面的考虑,需要研制新的显示面板用基板、显示面板和显示装置,使其更利于超窄边框产品的制作。
实用新型内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,更利于超窄边框产品的制作。
本申请是这样实现的,第一方面,提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括层叠设置的第一基底和导电层,所述阵列基板还包括层叠设置于所述第一基底和所述导电层之间的柔性衬底,所述柔性衬底的至少一侧凸出所述第一基底的相应侧边形成外延部。
在一个可选实施例中,所述柔性衬底包括主体区域和连接于所述主体区域的源极侧的电路绑定区域,所述主体区域层叠于所述第一基底上,且所述主体区域中除源极侧以外的另外三侧中的至少一侧凸出所述第一基底的相应侧边形成所述外延部,所述电路绑定区域远离所述主体区域的一侧延伸至所述第一基底外,并能够弯折至所述第一基底背离所述柔性衬底的一面上,所述导电层包括薄膜晶体管电路和与所述薄膜晶体管电路电连接的外围驱动电路,其中所述薄膜晶体管电路形成于所述主体区域与所述第一基底重叠部分上,至少部分所述外围驱动电路形成于所述电路绑定区域上。
在一个可选实施例中,所述电路绑定区域延伸至所述第一基底外的部分的宽度为2.0~3.0mm。
在一个可选实施例中,当所述柔性衬底的至少两侧凸出所述第一基底的相应侧边时,所述外延部包括间隔分布的多个分部,每一所述分部对应所述第一基底的一个所述侧边。
在一个可选实施例中,所述外延部上形成有遮光层。
在一个可选实施例中,所述阵列基板还包括形成于所述第一基底和所述柔性衬底之间的粘结层。
在一个可选实施例中,所述柔性衬底在380~780nm波段的透过率大于90%,所述柔性衬底的厚度为15~30μm;所述外延部的宽度为1.3~2.0mm。
第二方面,提供了一种显示面板,包括阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜层,所述阵列基板为上述各实施例提供的阵列基板,所述外延部弯折至所述彩膜层背离所述阵列基板的一面,并将所述彩膜层的相应侧壁包覆其中。
在一个可选实施例中,所述外延部于所述彩膜层背离所述阵列基板的一侧的宽度为0.5~1mm。
第三方面,提供了一种显示装置,包括驱动模块以及上述各实施例提供的显示面板,所述驱动模块与所述显示面板电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的