[实用新型]桥面、像元结构和芯片

说明书

本申请提供一种桥面、像元结构和芯片，桥面其包括转化元件和聚光元件。其中，转化元件用于接收光信号，并用于将所述光信号转化为电信号；聚光元件用于吸引光信号；沿所述桥面的厚度方向，所述聚光元件投影和所述转化元件的投影存在重叠部分。本实用新型桥面中的转化元件可吸收光信号，并引起自身温度的变化，从而使得自身的电学参数发生变化，进而实现将光信号转化为电信号；聚光元件可吸引较多的光信号，使得位于其周侧的转化元件能够接受到更多的光信号，从而提升了芯片对光信号的有效吸收率，进而提升了芯片检测的精准度。

技术领域

本实用新型涉及光信号探测领域，特别是涉及一种桥面、像元结构和芯片。

背景技术

应用于红外探测器的封装装置包括微机电系统芯片 (Microelectromechanicalsystems，简称MEMS)，该芯片包括用于探测红外信号的像元结构和控制结构。

具体的，像元结构中的部分结构可将红外光信号能转换成热能，从而引起敏感元件温度上升。由于温度的变化，敏感元件的某个电学参数随之发生变化，之后，再通过控制结构对该信号的转化和计算实现对物体的探测。

然而，现有的MEMS红外探测器的对红外光的吸收率较低。

实用新型内容

本申请实施例的第一方面提供了一种桥面，所述桥面包括：

转化元件，用于接收光信号，并用于将所述光信号转化为电信号；

聚光元件，用于吸引光信号；沿所述桥面的厚度方向，所述聚光元件投影和所述转化元件的投影存在重叠部分。

在一个实施例中，所述桥面还包括传导元件，所述传导元件电连接于所述转化元件，并用于传导所述电信号；

所述传导元件的至少部分结构与所述聚光元件同层设置。

在一个实施例中，沿所述桥面的厚度方向，所述传导元件的投影的至少部分与所述转化元件的投影重合；

将所述传导元件和所述转化元件的投影的重叠面积作为第一面积，将所述转化元件的投影面积作为第二面积，所述第一面积和所述第二面积的比值大于等于0.1，并且，小于等于0.5。

在一个实施例中，所述传导元件和所述聚光元件的材质相同。

在一个实施例中，所述转化元件包括：

吸收层，用于接收光信息，所述吸收层的温度与所述光信号的强度呈正相关；沿所述桥面的厚度方向，所述吸收层的投影与所述聚光元件的投影存在重叠部分；

热敏层，与所述吸收层接触，并用于于所述吸收层进行热交换；所述热敏层还用于将自身的温度信号转化为电信号。

在一个实施例中，沿所述厚度方向，所述聚光元件的投影和所述吸收层的投影存在交叉部分，或者，所述聚光元件的投影被所述吸收层的投影包裹。

在一个实施例中，当所述聚光元件的投影被所述吸收层的投影包裹时，所述聚光元件的投影位于所聚光元件的投影的中心区域。

在一个实施例中，所述热敏层的电阻值与所述热敏层的温度信号呈正相关或负相关。

在一个实施例中，沿所述厚度方向，所述转化元件的投影面积作为第二面积，所述聚光元件的投影面积作为第三面积；

所述第三面积与所述第二面积的比值大于0.2，并且，小于等于0.35。

在一个实施例中，沿所述厚度方向，所述聚光元件的投影形状呈长方形，所述长方形的短边与长边的比值大于等于0.4；或者，

沿所述厚度方向，所述聚光元件的投影形状呈正方形。

本申请实施例的第二方面提供了一种像元结构，所述像元结构包括桥臂和上述的桥面；