[实用新型]尾气吸附装置有效

专利信息
申请号: 202220554080.5 申请日: 2022-03-10
公开(公告)号: CN217068280U 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 葛俊;朱颜;孙建 申请(专利权)人: 全椒南大光电材料有限公司
主分类号: B01D53/04 分类号: B01D53/04;G01N31/22
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 闫客
地址: 239514 安徽省滁州市全椒*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 尾气 吸附 装置
【说明书】:

实用新型公开一种尾气吸附装置,属于尾气处理技术领域,包括气相色谱仪,气相色谱仪的进气口连接载气传输管道,气相色谱仪的各路排气口均连接有一吸附桶,吸附桶的进气口与排气口为卡套连接,吸附桶内填充有吸附填料。本实用新型将气相色谱仪的各路排气口均连接有一吸附桶,吸附桶内填充有吸附填料,对有毒气体进行吸附,在发生堵塞时,使用电子流量计直接从吸附桶出口测流量即可判断是那一路发生的堵塞,简单准确快速;多路分开排放也不会造成短暂的拥堵,而且吸附桶体积小,直接挂接在面板背面即可,体积小重量轻,方便移动。

技术领域

本实用新型属于尾气处理技术领域,具体涉及一种尾气吸附装置。

背景技术

和传统大宗工业气体不同,电子气体用量小、纯度高,通常要求99.999%及以上纯度,其是伴随电子材料及半导体行业发展起来。常见半导体工艺流程使用的电子气体及用途,其中氢气、氮气、氦气、氩气等多用于载气、吹扫气、稀释气及用来提供惰性环境或还原性环境等;HF、HCl、HBr用于多晶硅的热刻蚀工艺,氟碳化合物用于等离子体刻蚀及腔体清洗等;硅源气体依据不同工艺如多晶硅生长、氮化硅等半导体制备区分如下表;而P-N结生长过程最重要的电子源和空穴源主要集中在第五主族的磷烷、砷烷以及第三主族的BF3、B2H6等;锗烷主要用于硅锗半导体的外延生长。因其特殊的光电性能,高纯磷烷、砷烷、锗烷、乙硼烷等是核心器件的重要源材料,是集成电路、芯片、LED器件、太阳能电池等关键技术发展的基础。同时,以高纯砷烷、磷烷为原料制备的半导体激光器如砷化镓、磷化铟等,对航空航天及卫星遥感等敏感技术的发展起到重要的作用。

电子气体中的杂质可导致载流子浓度改变,进而影响器件光学和电学性能,发光效率急剧降低,故高纯电子特气对于杂质含量有严格规定,通常低于100ppb。在电子气体中的剧毒气体中杂质的分析采用了使用氦离子检测器原理的气相色谱仪,此检测器具有灵敏度高、线性范围宽、样品用量少等特点。但是因为电子气体的特殊性,会在仪器管路内部发生化学反应,如吸附在管道内壁上,从而形成拥堵,当在仪器尾气出口形成拥堵时,但传统的检测仪器当管路内部发生拥堵时,无法排查进行维修,轻则影响仪器检出限,严重时就会导致仪器瘫痪无法使用。另外,传统的检测仪器的体积庞大,需在固定位置进行尾气处理,使用灵活性不够。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于如何简单快捷的排查内部发生拥堵的管路,保证仪器安全使用。

本实用新型通过以下技术手段实现解决上述技术问题的:

本实用新型提出了一种尾气吸附装置,所述装置包括气相色谱仪,所述气相色谱仪的进气口连接载气传输管道,所述气相色谱仪的各路排气口均连接有一吸附桶,所述吸附桶的进气口与排气口为卡套连接,所述吸附桶内填充有吸附填料。

本实用新型与传统的单一的尾气处理装置不同,传统单一的尾气处理装置是将所有尾气汇总到一路总出口排出,当气相色谱仪某一分路堵塞时,需要对所有支路单独拆开去排查;而且多路载气同时排气,在使用过程中会造成短暂的拥堵;另外对多路载气进行汇总的设备体积庞大,只能固定在某一位置使用。本方案中将气相色谱仪的各路排气口均连接有一吸附桶,吸附桶内填充有吸附填料,对有毒气体进行吸附,在发生堵塞时,使用电子流量计直接从吸附桶出口测流量即可判断是那一路发生的堵塞,简单快速;多路分开排放也不会造成短暂的拥堵,而且吸附桶体积小,直接挂接在面板背面即可,体积小重量轻,方便移动。

进一步地,所述吸附桶的进气口和出气口处均布置有滤网。

进一步地,所述吸附桶的进气口和出气口处均布置有垫圈。

进一步地,所述吸附桶的出气口处设置一密封管,所述密封管内装有可变色指示剂。

进一步地,所述卡套采用NPT转接1/8卡套接口。

进一步地,所述吸附填料采用活性炭。

进一步地,所述吸附桶采用T33桶。

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