[实用新型]一种开关电源驱动芯片的直流稳压电源电路

权利要求书

1.一种开关电源驱动芯片的直流稳压电源电路，直流稳压电源电路应用与开关电源的驱动芯片，其特征在于，所述直流稳压电源电路包括：充电控制电路、检测控制电路和数字逻辑电路，高压直流电源与充电控制电路连接，充电控制电路的输出端与检测控制电路连接，检测控制电路的输出端与数字逻辑电路连接，数字逻辑电路的输出端与充电控制电路连接；所述高压直流电源与充电控制电路的结型场效应管连接，结型场效应管用于降压及控制充电控制电路的工作或不工作，结型场效应管的输出端与电阻R5和MOS管M3连接，MOS管M3与MOS管M2和电容C连接，数字逻辑电路的输出信号Y控制MOS管M2的通断、从而控制MOS管M3的通断，通过MOS管M3控制电容C的充电，检测控制电路用于电压检测及控制电容C的充放电，使得电容C输出稳定的电压VCC作为驱动芯片的直流稳压电源。

2.如权利要求1所述的开关电源驱动芯片的直流稳压电源电路，其特征在于，所述结型场效应管JFET的栅极接地、漏极与功率管M1的漏极连接、源极与电阻R5的一端和NMOS管M3的漏极连接，电阻R5的另一端与NMOS管M3的栅极和NMOS管M2的漏极连接，NMOS管M3的源极与电容C的一端连接、并且电容C输出稳定电压VCC的导线与NMOS管M3的源极和电容C之间的导线连接，电容C的另一端和NMOS管M2的源极连接后接地，NMOS管M2的栅极与数字逻辑电路的输出端连接。

3.如权利要求2所述的开关电源驱动芯片的直流稳压电源电路，其特征在于，与结型场效应管JFET的栅极连接的导线为D端，D端与功率管M1的漏极连接，D端为高压直流电源的输入端，所述高压直流电源的电压为100V-700V；所述结型场效应管JFET为N沟道结型场效应管，其栅极直接接地，因此其VGS0；所述电阻R5为高阻值电阻，起到防止烧毁驱动芯片的保护功能和降低功耗的功能；MOS管M2和MOS管M3为高压NMOS管，其中NMOS管M2用作开关管。

4.如权利要求1所述的开关电源驱动芯片的直流稳压电源电路，其特征在于，包括选自下组的一个或多个特征：

A.当功率管M1处于导通状态，功率管M1的漏端被拉到低电位，结型场效应管JFET截止，充电控制电路不工作；当功率管M1处于关断状态时，结型场效应管JFET的D端为高压直流电压，结型场效应管JFET导通，充电控制电路工作；

B.当功率管M1处于关断状态时，若所述信号Y为低电平时，MOS管M2截止，MOS管M3的栅端电位被拉高，MOS管M3导通，高压直流电源通过MOS管M3对电容C充电；若所述信号Y为高电平时,MOS管M2导通，MOS管M3的栅端电压被拉低，MOS管M3截止，停止对电容C充电。

5.如权利要求1所述的开关电源驱动芯片的直流稳压电源电路，其特征在于，所述检测控制电路包括多个电阻和三个比较器组成，用于对电容C上的电压VCC进行检测，所述数字逻辑电路用于对检测控制电路的检测结果进行处理并输出信号Y，检测控制电路和数字逻辑电路用于确保电压VCC工作在稳压点V2。

6.如权利要求1所述的开关电源驱动芯片的直流稳压电源电路，其特征在于，所述检测控制电路由运放C1、运放C2、运放C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和MOS管M4组成，控制电容C的放电；所述电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4串联，电容C输出稳定的电压VCC与电阻R1的一端和MOS管M4的源极连接，运放C1的正极与电阻R1和电阻R2之间的导线连接，运放C2的正极与电阻R2和电阻R3之间的导线连接，运放C3的正极与电阻R3和电阻R4之间的导线连接，电阻R4的另一端和MOS管M4的漏极接地，运放C1、运放C2和运放C3的负极均与参考电压V_BG连接，运放C1和运放C2的输出端与数字逻辑电路连接，运放C3的输出端与数字逻辑电路和MOS管M4的栅极连接。