[实用新型]用于半导体制造设备的腔室内衬和半导体制造设备

说明书

本实用新型涉及一种用于半导体制造设备的腔室内衬和半导体制造设备，该腔室内衬包括一个或多个内衬体，至少一个所述内衬体包括多个内衬部件，所述多个内衬部件相互连接以形成为所述内衬体；其中，在两个或多个所述内衬部件的相互连接的位置，至少一个内衬部件的连接结构的至少一部分伸入另一内衬部件的对应连接结构，以使得所述多个内衬部件的相互连接的位置不裸露腔室。利用本实用新型的用于半导体制造设备的腔室内衬和半导体制造设备，安装方便快速，可覆盖腔室内部暴露的所有腔室表面，能够提高颗粒度和金属污染水平。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于半导体制造设备的腔室内衬和半导体制造设备。

背景技术

此处的陈述仅提供与本实用新型有关的背景信息，而不必然地构成现有技术。

半导体制造过程中所利用的装置，例如刻蚀设备(Etch)，其腔室内可以设置内衬。现有的关于腔室内衬的使用，多数以提高晶片(也称为晶圆、 wafer)表面反应的一致性为目的，或者为保护腔室内部某一零部件不被腐蚀而设计而并未从整个腔室角度考虑。

另外，由于刻蚀过程同时伴有等离子体与腐蚀性反应气体，因此现有的腔室内衬多为刻蚀设备的腔室设计。而对于大多数半导体制造设备，并没有为其专门设计的腔室内衬。事实上，现有的很多半导体前道设备，例如DPN(去耦合等离子氮化)设备，由于腔室内不含有腐蚀性气体，一般不设置腔室内衬。

而随着半导体先进制程对颗粒度及金属污染的要求越来越严格，很多半导体前道设备，例如DPN设备，虽然不含有腐蚀性气体，但也常常因等离子体刻蚀腔体内壁造成颗粒度和金属污染不合格，如何降低该设备腔室内部颗粒度和金属污染成为关键问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新的用于半导体制造设备的腔室内衬和半导体制造设备，所要解决的技术问题是解决腔室内部颗粒度和金属污染超标问题，提高腔室内部的颗粒度和金属污染水平。

本实用新型的目的采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的用于半导体制造设备的腔室内衬，所述半导体制造设备为半导体氮化设备，所述腔室内衬包括一个或多个内衬体，至少一个所述内衬体包括多个内衬部件，所述多个内衬部件相互连接以形成为所述内衬体；其中，在两个或多个所述内衬部件的相互连接的位置，至少一个内衬部件的连接结构的至少一部分伸入另一内衬部件的对应连接结构，以使得所述多个内衬部件的相互连接的位置不裸露腔室。

本实用新型的目的还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的腔室内衬，所述内衬部件的连接结构在伸入另一内衬部件的对应连接结构时，具有沿伸入或拔出方向的活动调节量，并且在活动调节时或活动调节后所述多个内衬部件的相互连接的位置保持不裸露腔室。

前述的腔室内衬，所述内衬部件的连接结构的用于伸入另一内衬部件的部分具有弹性。

前述的腔室内衬，所述内衬部件的连接结构包括搭接结构、和/或插接结构。

前述的腔室内衬，所述内衬体包括：腔室侧壁内衬板、腔室底部内衬底、载台衬套之中的一个或多个。

前述的腔室内衬，所述内衬部件的基底材质包括铝合金、石英、陶瓷、或碳化硅。

前述的腔室内衬，所述内衬部件的至少一部分表面具有耐腐蚀涂层。

前述的腔室内衬，所述耐腐蚀涂层包括：氧化钇、特氟龙、硅、或氧化铝。

本实用新型的目的还采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的半导体制造设备，所述半导体制造设备为半导体氮化设备，包括任意一种前述的用于半导体制造设备的腔室内衬。