[实用新型]一种用于制备单晶氧化镓的工艺设备有效
| 申请号： | 202220338653.0 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN217203059U | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州燎塬半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 氧化 工艺设备 | ||
1.一种用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，包括：
腔管；
位于所述腔管中的坩埚，所述坩埚内具有底部容置区和顶部开口区，所述底部容置区和所述顶部开口区间隔，所述顶部开口区适于放置籽晶；
加热件，所述加热件设置在所述腔管的侧部周围，所述加热件适于对所述坩埚进行加热，以使得所述顶部开口区的温度小于所述底部容置区的温度；
进气管和出气管，所述进气管与所述腔管靠近所述底部容置区的一端连通，所述出气管与所述腔管靠近所述顶部开口区的一端连通。
2.根据权利要求1所述的用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，所述加热件适于在所述坩埚内形成热梯度场。
3.根据权利要求1所述的用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，所述坩埚对应顶部开口区的内侧部开设有凹槽，所述凹槽适于支撑所述籽晶。
4.根据权利要求3所述的用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，所述凹槽的深度为0.5mm-2mm，所述凹槽的宽度为0.5mm-2mm。
5.根据权利要求1所述的用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，所述坩埚为圆柱形，所述坩埚的内径为30mm-80mm，所述坩埚的侧壁厚度为3mm-5mm，所述坩埚的高度为60mm-150mm。
6.根据权利要求1所述的用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，所述坩埚包括氧化铝坩埚或者氧化锆坩埚。
7.根据权利要求1所述的用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，所述加热件包括感应加热件或者电阻加热件。
8.根据权利要求1所述的用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，还包括：导热件，所述导热件适于设置在所述籽晶背离所述底部容置区的一侧表面。
9.根据权利要求8所述的用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，所述导热件包括石英柱导热件，所述石英柱导热件的侧壁适于对入射在所述石英柱导热件内部的光进行反射，所述石英柱导热件的底面和顶面适于对入射在所述石英柱导热件内部的光进行透射。
10.根据权利要求1所述的用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，所述进气管适于向所述腔管内通入保护气体，所述出气管适于将保护气体排出。
11.根据权利要求1所述的用于制备单晶氧化镓的工艺设备，其特征在于，还包括：支架，所述支架适于将所述坩埚与所述腔管分隔。
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