[实用新型]一种抗高压具有防护结构的MOS管

说明书

本实用新型公开了一种抗高压具有防护结构的MOS管，涉及MOS管技术领域，包括主半导体，所述主半导体的上端外表面设有固定片，所述固定片的中部设有固定孔，所述主半导体的后端外表面设有导热机构。本实用新型所述的一种抗高压具有防护结构的MOS管，导热机构在使用时可通过导热胶层和导热片对主半导体的热量进行快速传导散热，在使用时可提高主半导体的散热效果，可提高主半导体的抗高压效果，防护机构在使用时可对G针脚、D针脚与S针脚的连接处起到稳定保护的效果，在使用时可避免G针脚、D针脚与S针脚的连接处发生弯折，在使用时可避免发生断裂的情况，使用的效果相对于传统方式更好。

技术领域

本实用新型涉及MOS管技术领域，具体涉及一种抗高压具有防护结构的MOS管。

背景技术

MOS管的全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管,具有三个电极,分别为:栅极G、源极S和漏极D,根据其半导体结构可以分为P-MOS和N-MOS。

在MOS管的使用过程中，通常会承载一定的电压，当电压过高时MOS管的温度会随着升高，现有的MOS管在使用时散热效果一般，且抗高压性一般，另外现有的MOS管在使用时三个针脚处容易发生弯折断裂，为此，我们提出一种抗高压具有防护结构的MOS管。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种抗高压具有防护结构的MOS管，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：一种抗高压具有防护结构的MOS管，包括主半导体，所述主半导体的上端外表面设有固定片，所述固定片的中部设有固定孔，所述主半导体的后端外表面设有导热机构，所述主半导体的下端外表面设有G针脚、D针脚与S针脚，所述G针脚位于D针脚的一侧，所述D针脚位于S针脚的一侧，所述主半导体与G针脚、D针脚和S针脚之间均设有防护机构，所述防护机构包括外圈、缓冲柱、内圈与防腐层，所述导热机构包括导热胶层、导热片与保护层。

优选的，所述缓冲柱位于外圈的内壁，所述内圈位于缓冲柱的一端外表面，所述防腐层位于内圈的内壁。

优选的，所述外圈的内壁与缓冲柱的另一端外表面可拆卸连接，所述缓冲柱的数量为八组。

优选的，所述缓冲柱的一端外表面与内圈的外壁可拆卸连接，所述内圈的内壁与防腐层的外壁可拆卸连接，所述防腐层的材质为防腐胶，所述外圈和内圈的材质均为绝缘橡胶，所述缓冲柱的材质为高弹橡胶。

优选的，所述导热片位于导热胶层的一端外表面，所述保护层位于导热片的一端外表面。

优选的，所述导热胶层的一端外表面与导热片的另一端外表面可拆卸连接，所述导热片的一端外表面与保护层的一端外表面可拆卸连接。

优选的，所述导热片为铜材质，所述保护层为阻燃橡胶材质。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：该一种抗高压具有防护结构的MOS管，导热机构在使用时可通过导热胶层和导热片对主半导体的热量进行快速传导散热，在使用时可提高主半导体的散热效果，可提高主半导体的抗高压效果，防护机构在使用时可对G针脚、D针脚与S针脚的连接处起到稳定保护的效果，在使用时可避免G针脚、D针脚与S针脚的连接处发生弯折，在使用时可避免发生断裂的情况，使用的效果相对于传统方式更好。

附图说明

图1为本实用新型一种抗高压具有防护结构的MOS管的整体结构示意图；

图2为本实用新型一种抗高压具有防护结构的MOS管防护机构8的结构图；

图3为本实用新型一种抗高压具有防护结构的MOS管导热机构4的结构图。

图中：1、主半导体；2、固定片；3、固定孔；4、导热机构；401、导热胶层；402、导热片；403、保护层；5、G针脚；6、D针脚；7、S针脚；8、防护机构；801、外圈；802、缓冲柱；803、内圈；804、防腐层。