[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号: | 202220277460.9 | 申请日: | 2022-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN217768298U | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
| 发明(设计)人: | 桥本佑介;东岛治郎;绪方信博;后藤大辅;二俣雄亮;中泽贵士 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置具有:
支承部,该支承部构成为支承在上表面形成有膜的基板;
基座构件,该基座构件设置有贯通孔,构成为与被所述支承部支承着的所述基板的下表面分离开并且与该下表面相对;
旋转部,该旋转部构成为使所述基座构件和所述支承部旋转;
化学溶液供给部,该化学溶液供给部构成为向被所述支承部支承着的所述基板的上表面供给蚀刻液;
气体供给部;以及
气体整流部,该气体整流部构成为对自所述气体供给部供给的气体进行整流,并将整流后的气体向被所述支承部支承着的所述基板的下表面和所述基座构件之间的空间排出,
所述气体整流部包含:
棒状构件,该棒状构件沿上下方向延伸,包含与被所述支承部支承着的所述基板的下表面相对并且配置于所述贯通孔内的顶端部;以及
环状的整流构件,该整流构件配置为包围所述顶端部,
所述顶端部包含环状的折回部,该折回部以自所述顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于所述外周面,
所述整流构件包含:
环状的底壁部,该底壁部配置为内周缘与所述顶端部的外周面分离开;
环状的突出部,该突出部以其上端部位于所述折回部和所述顶端部的外周面之间的方式自所述底壁部的内周部向上方延伸;
环状的水平整流部,该水平整流部在较所述折回部靠外侧的位置且是所述底壁部的上方处,以与所述底壁部分离开的状态沿水平方向延伸;以及
多个柱部,该柱部连接所述水平整流部和所述底壁部,沿所述顶端部的周向排列。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述折回部和所述水平整流部的水平方向上的分开距离为2mm~10mm。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述整流构件还包含环状的盖部,该盖部以位于所述折回部和所述水平整流部之间的方式设于所述折回部和所述水平整流部中的一者。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述贯通孔设于所述基座构件的中央部,
所述底壁部的外周缘与所述贯通孔连接。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
在自所述整流构件的旋转轴线方向观察时,所述多个柱部相对于该旋转轴线的周向和径向这两者倾斜地延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





