[实用新型]一种负温电流产生电路有效

专利信息
申请号: 202220266077.3 申请日: 2022-02-09
公开(公告)号: CN217060856U 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 刘桂云 申请(专利权)人: 辉芒微电子(深圳)股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 张蓉;郭伟刚
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电流 产生 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种负温电流产生电路,包括基准电流支路、负温电流产生支路和负温电流输出支路,负温电流产生支路中设置有第一NMOS管和电压转电流模块,基准电流支路中设置有第二NMOS管和用于产生负温电压的负温电压产生模块,第一NMOS管和第二NMOS管连接并将所述负温电压转移到电压转电流模块上,电压转电流模块将所述负温电压转换为负温电流输出,因为基准电流支路和输出支路均与负温电流支路构成电流镜,所以基准电流支路和输出支路的电流也是负温电流,这样整个电路结构简单,面积非常小,而且由于第一NMOS管和第二NMOS管为相同尺寸的不同类型的NMOS管,且第一NMOS管的阈值电压大于第二NMOS管的阈值电压,可以增加整个电路的负温电流的温度系数。

技术领域

本实用新型涉及电流产生电路,尤其涉及一种负温电流产生电路。

背景技术

现在的电流产生电路包括与温度成正比的正温度电流产生电路和与温度成反比的负温度电流源。传统负温电流产生电路有的比较复杂,面积比较大。而有的虽然结构相对简单,面积相对较小,但是产生的负温电流的温度系数受到限制,这使得其难以满足一些需要具有更大的负温系数的电流的电路,因此有必要设计一种占面积小且可以获得温度系数更大的负温电流的电路。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述传统负温电流产生电路的负温度系数不够的缺陷,提供一种负温电流产生电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种负温电流产生电路,包括基准电流支路、负温电流产生支路和负温电流输出支路,所述基准电流支路和负温电流输出支路均与所述负温电流产生支路构成电流镜;

所述负温电流产生支路中设置有第一NMOS管和电压转电流模块,所述基准电流支路中设置有第二NMOS管和用于产生负温电压的负温电压产生模块,所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极共接至所述第二NMOS管的漏极以并将所述负温电压转移到所述电压转电流模块上,所述电压转电流模块用于将所述负温电压转换为负温电流输出,所述第一NMOS管和第二NMOS管为相同尺寸的不同类型的NMOS管,且第一NMOS管的阈值电压大于所述第二NMOS管的阈值电压。

优选地,所述负温电压产生模块包括PNP型的三极管,或者,所述负温电压产生模块通过二极管接法的第三NMOS管实现负温电压。

优选地,所述电压转电流模块包括具有正温度系数的电阻。

优选地,所述负温电流产生支路包括第一PMOS管,所述基准电流支路包括第二PMOS管,所述负温电流输出支路包括第三PMOS管,所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的源极共接至供电电压,所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的栅极共接至所述第一PMOS管的漏极;

所述第一PMOS管的漏极经由所述第一NMOS管和电压转电流模块接地,所述第二PMOS管的漏极经由所述第二NMOS管和负温电压产生模块接地,第三PMOS管的漏极用于连接需要恒定的负温电流的电路。

优选地,所述第一NMOS管的漏接连接所述第一PMOS管的漏极,所述第二NMOS管的漏接连接所述第二PMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极经由电压转电流模块接地,所述第二NMOS管的源极经由所述负温电压产生模块接地。

优选地,所述负温电压产生模块包括PNP型的三极管,所述三极管的发射极连接所述第二NMOS管的源极,所述三极管的基极与集电极共接至地。

优选地,所述负温电压产生模块包括第三NMOS管,所述第三NMOS管的栅极和漏极共接至所述第二NMOS管的源极,所述第三NMOS管的源极接地。

优选地,所述第一PMOS管、第二PMOS管为相同尺寸且相同类型的PMOS管。

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