[实用新型]一种晶片承载盘

说明书

本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种晶片承载盘，所述晶片承载盘至少包括第一承载盘、第二承载盘和支撑结构，所述第一承载盘上具有多个放置晶片的凹槽，所述支撑结构位于第一承载盘和第二承载盘之间。本实用新型的支撑结构，可以增加石墨盘的韧性，防止石墨盘在使用时发生崩裂的现象，尤其是当石墨载盘受到局部温差以及撞击的情况下，可有效减小局部应力，降低破碎的概率。

技术领域

本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种外延生长使用的晶片承载盘。

背景技术

发光二极管（英文为Light Emitting Diode，简称LED）是一种固态半导体二极管发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域发。现阶段制取LED晶圆片的方法主要是通过金属有机化合物化学气相沉淀（英文为Metal-organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD）实现，可以简述其流程如下：将外延晶圆衬底（如蓝宝石衬底/Si衬底）放入石墨承载盘（Wafer carrier）的凹槽上，将其石墨承载盘一起传入MOCVD 反应室内，通过将反应室温度加热到设定好的温度，并配合通入有机金属化合物和五族气体，使它们在晶圆衬底上断开化学键并重新聚合形成LED外延层。

目前在LED发光二极管外延（Epitaxy）晶圆制程过程中，晶圆片放入石墨承载盘上方，由于在外延生长过程中晶圆片是依赖下方的石墨承载盘传递的温度变化进行磊晶，但是由于系统或者加热丝或者认为温度设定异常或者石墨盘本身问题，再外延磊晶过程中出现局部温度过高或者过低很容易出现裂盘的问题，同时由于MOCVD工作中的转速通常在600~1200转/分钟，一般出现裂盘后，残片都会砸向腔体的各位位置造成破坏。

发明内容

为解决上述因局部温度不均匀而导致裂盘的技术问题，本实用新型提供一种晶片承载盘，尤其是一种外延生长使用的石墨盘，改善石墨盘崩盘的问题。

一种晶片承载盘，其特征在于，所述晶片承载盘至少包括第一承载盘、第二承载盘和支撑结构，所述第一承载盘上具有多个放置晶片的凹槽，所述支撑结构夹置于第一承载盘和第二承载盘之间。

其中，所述支撑结构包括多个支撑条，所述多个支撑条平行分布或者交叉分布。所述多个支撑条包括沿与第一承载盘或第二承载盘的表面平行的第一方向延伸的第一支撑条以及与第一支撑条交叉的第二支撑条，所述第一支撑条平行分布，第二支撑条平行分布，第一支撑条与第二支撑条交叉，所述第一支撑条与第二支撑条垂直或者不垂直。

优选的，所述第一承载盘为第一石墨盘，第二承载盘为第二石墨盘。更优选的，所述第一石墨盘的表面还具有碳化硅层。

优选的，所述第一承载盘与第二承载盘的外周边缘处结合并封闭，使支撑结构位于晶片承载盘的内部。更优选的，所述支撑结构占第二承载盘的表面面积的80%以上。

本实用新型的晶片承载盘，将传统的石墨盘分为位于上部的第一承载盘和位于下部的第二承载盘，并在两个承载盘之间增加支撑结构，尤其是条状或者网状的支撑结构，可以增加石墨盘的韧性，防止石墨盘在使用时发生崩裂的现象，尤其是当石墨载盘受到局部温差以及撞击的情况下，可有效减小局部应力，降低破碎的概率。

附图说明

图1为本实用新型之晶片承载盘的俯视结构示意图。

图2为本实用新型之其一实施例的晶片承载盘的线A-A截面结构示意图。

图3为本实用新型之其一实施例的支撑结构俯视图。

图4为本实用新型之其一实施例的支撑结构俯视图。

图5为本实用新型之其一实施例的支撑结构俯视图。

图6为本实用新型之其一实施例的支撑结构俯视图。

具体实施方式