[实用新型]MEMS晶圆有效
| 申请号： | 202220222682.0 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN216863642U | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张彦秀;王乾;宋彦松;金文盛 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B23K26/38;H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 王乾旭;赵红凯 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 晶圆 | ||
1.一种MEMS晶圆，其特征在于，包括：
晶圆本体，其上阵列排布多个MEMS结构单元；在相邻的所述MEMS结构单元之间的所述晶圆本体的正面上形成有划片道；
其中，在与所述划片道相对应的所述晶圆本体背面形成有预切割沟槽。
2.根据权利要求1所述的MEMS晶圆，其特征在于，所述预切割沟槽的宽度不超过10微米。
3.根据权利要求2所述的MEMS晶圆，其特征在于，所述预切割沟槽的深度与所述晶圆本体的厚度呈正相关；所述预切割沟槽的宽度与所述预切割沟槽的深度呈正相关。
4.根据权利要求3所述的MEMS晶圆，其特征在于，
所述晶圆本体的厚度小于或等于400微米时，所述预切割沟槽的宽度不超过5微米；
所述晶圆本体的厚度大于400微米且小于或等于600微米时，所述预切割沟槽的宽度大于5微米且小于或等于10微米。
5.根据权利要求4所述的MEMS晶圆，其特征在于，所述晶圆本体的厚度不低于300微米。
6.根据权利要求3所述的MEMS晶圆，其特征在于，所述预切割沟槽的深度为所述晶圆本体的厚度的三分之一至六分之五。
7.根据权利要求6所述的MEMS晶圆，其特征在于，所述预切割沟槽处的晶圆本体的厚度为80～120微米。
8.根据权利要求1-7任一项所述的MEMS晶圆，其特征在于，在所述划片道的宽度方向上，所述划片道的对称面与相对应预切割沟槽的对称面重合。
9.根据权利要求1-7任一项所述的MEMS晶圆，其特征在于，所述MEMS结构单元包括正面结构和背腔结构，所述背腔结构贯穿所述晶圆本体，所述正面结构形成于所述晶圆本体的正面且覆盖所述背腔结构。
10.根据权利要求9所述的MEMS晶圆，其特征在于，所述正面结构包括悬置于所述晶圆本体上的电容器组件，所述电容器组件包括间隔设置的可动极板和不动极板，所述可动极板能够相对于所述不动极板运动而使电容量改变。
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