[实用新型]可抑制偶次谐波的脉冲发生电路及产生点频源的电路有效

专利信息
申请号: 202220049198.2 申请日: 2022-01-10
公开(公告)号: CN216699969U 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 蔡树青 申请(专利权)人: 成都智明达电子股份有限公司
主分类号: H03K3/013 分类号: H03K3/013
代理公司: 成都嘉企源知识产权代理有限公司 51246 代理人: 田甜
地址: 610031 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 可抑制 谐波 脉冲 发生 电路 产生 点频源
【说明书】:

本实用新型公开了一种可抑制偶次谐波的脉冲发生电路及产生点频源的电路,该脉冲发生电路包括依次连接的偏压电路、低通匹配电路和脉冲波形发生电路;所述脉冲波形发生电路由谐振电路和两个型号相同且正、负极对连的阶跃恢复二极管组成,两个所述正、负极对连的阶跃恢复二极管串联或者并联在谐振电路输出端。其可有效抑制偶次谐波来实现脉冲发生电路,减轻了后级预选滤波器选频压力大的问题。

技术领域

本实用新型属于模拟射频信号上、下变频调理或ADC/DAC的采样时钟电路技术领域,具体地涉及一种可抑制偶次谐波的脉冲发生电路及产生有低相噪要求的点频源电路。

背景技术

不管是作为变频链路的本振源还是作为模数转换或者数模转换的采样时钟均是电子系统的心脏,是决定电子系统性能的关键电路模块。本振相位噪声特性在变频中直接会反映在混频之后的信号上,另外,采样时钟的相位噪声(通常在模数转换中会提时钟抖动)在ADC中极大的影响数据的有效位ENOB,在DAC中影响输出信号的频谱纯度及质量。

信号源的产生机制可分为4种:直接频率合成技术、间接频率合成技术(又称锁相式频率合成技术即PLL技术)、直接数字频率合成技术(即DDS技术)以及利用器件的非线性特性,通过前端大功率的信号驱动使其工作在非线性区,产生丰富的谐波分量,进而通过预选滤波器选出所需要的频谱成分。例如,非线性电阻倍频、非线性电抗倍频(有变容二极管、阶跃恢复二极管、雪崩二极管、肖特基二极管以及晶体三极管)均是利用上述方法实现倍频。

传统利用器件的非线性倍频通常是采用驱动“单管”的方式来实现,比如文献1,《一种超宽带脉冲信号发生器的设计》(程勇,周月臣,程崇虎通信学报Vol.26No.10)利用“单管”并联阶跃恢复二极管(SRD)产生超宽带窄脉冲信号的微带结构电路;文献2,《微波全频段低功耗梳状谱发生器研制》(张清电子科技大学硕士论文2009.06)采用“单管”阶跃恢复二极管和功放管,设计出了输出0.2~18GHz信号的梳状谱发生器;文献3,实用新型专利CN212785297U中提出了一种在SRD脉冲发生器中的阶跃恢复二极管SRD与输出端隔直电容之间串接一定长度的传输导线作为调谐网络的梳状谱信号发生器及SRD脉冲发生器。其激励起的谐波分量非常丰富,奇、偶次谐波均有,且会以等输入频率间隔的方式反映在输出端。当输入参考激励信号为Ref_in(MHz),则其输出为RFout=N·Ref_in(MHz),其中,N=1,2,3......,例如,当Ref_in=100MHz时,则Rfout会出现100MHz、200MHz、300MHz···1000MHz、1100MHz···5000MHz、5100MHz···等频率分量,其频率间隔为100MHz。尤其是当Ref_in更小时,其频率间隔将会更密集,对于后级的预选滤波器的选频能力有极高的要求,这极大地增加了预选滤波器的选频压力,滤波器的陡峭程度及带外抑制度将极大地影响信号的频谱纯度。通常只能选择高Q值腔体滤波器或者声表面波滤波器SAW作为输出的选频器件,而腔体滤波器虽然有较高的Q值,但其体积较大,不满足目前集成化、小型化的电路需求。另外,SAW由于其具有优良的窄带特性,通常是此电路的优选选频器件,但是其温度特性极差,对于宽温度范围的应用场合存在滤波器中心频率偏移的问题,而且,SAW的高频性能不佳。目前,针对SAW的温度特性差及高频性能不佳的特点,已有可替代其的体声波滤波器BAW,该类型的滤波器对温度变化不敏感,高频性能也更加,但其成本高,货架产品很少,极大地限制了其的广泛应用。

实用新型内容

为了解决现有采用驱动“单管”的方式带来的奇、偶次谐波均存在,频谱分量随着输入频率的减小,间隔越密集的问题,本实用新型提供可抑制偶次谐波的脉冲发生电路及产生点频源的电路,其可有效抑制偶次谐波来实现脉冲发生电路,减轻了后级预选滤波器选频压力大的问题。

本实用新型通过以下技术方案实现:

本实用新型第一方面提供可抑制偶次谐波的脉冲发生电路,包括依次连接的耦合电容、偏压电路、低通匹配电路和脉冲波形发生电路;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都智明达电子股份有限公司,未经成都智明达电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202220049198.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top