[实用新型]光催化装置有效
| 申请号： | 202220049040.5 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN216605227U | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 朱瑞;朱健;郝成龙;谭凤泽 | 申请（专利权）人： | 深圳迈塔兰斯科技有限公司 |
| 主分类号： | B01J19/12 | 分类号： | B01J19/12;B01J8/00 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 夏欢 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区新安街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光催化 装置 | ||
1.一种光催化装置，其特征在于，所述光催化装置包括金属超表面(100)和二维材料层(200)；
其中，所述金属超表面(100)和所述二维材料层(200)自下到上堆叠形成异质结；
所述金属超表面(100)的表面具有纳米沟壑(101)；
所述二维材料层(200)包括至少一层二维过渡金属硫族化合物。
2.如权利要求1所述的光催化装置，其特征在于，所述二维材料层(200)包括单层二维过渡金属硫族化合物。
3.如权利要求1所述的光催化装置，其特征在于，所述二维材料层(200)包括两种或两种以上二维过渡金属硫族化合物堆叠形成的异质结。
4.如权利要求3所述的光催化装置，其特征在于，所述二维材料层(200)包括两种不同的二维过渡金属硫族化合物堆叠而成的异质结。
5.如权利要求1所述的光催化装置，其特征在于，所述纳米沟壑(101)的排列周期大于或等于10nm，并且小于或等于200nm。
6.如权利要求1所述的光催化装置，其特征在于，所述纳米沟壑(101)的宽度大于或等于3nm，并且小于或等于10nm。
7.如权利要求1所述的光催化装置，其特征在于，所述纳米沟壑(101)的深度大于或等于5nm，并且小于或等于30nm。
8.如权利要求1-7中任一所述的光催化装置，其特征在于，所述纳米沟壑(101)的形状包括条状沟壑和网状沟壑。
9.如权利要求8所述的光催化装置，其特征在于，所述网状沟壑的形状包括多边形、扇形和圆形中的一种或多种。
10.如权利要求1-7中任一所述的光催化装置，其特征在于，所述纳米沟壑(101)为离散的沟壑。
11.如权利要求1-7中任一所述的光催化装置，其特征在于，所述纳米沟壑(101)为相互连接的沟壑。
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