[发明专利]含双官能团添加剂的钙钛矿薄膜、发光二极管、制备方法

权利要求书

1.一种含双官能团添加剂的钙钛矿薄膜，所述双官能团添加剂具有如式(1)所示的结构：

其中，A₁选自C₁-C₅的烷基；

X选自含N、O、F、Cl、Br、I中至少一种的孤对电子基团，所述孤对电子基团与式(1)中的氨基形成分子间氢键。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其中，所述双官能团添加剂中烷基包括-CH₂-CH₂-。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其中，所述双官能团添加剂中X包括以下任意一种孤对电子基团：

4.根据权利要求3所述的钙钛矿薄膜，其中，所述双官能团添加剂中X包括以下任意一种孤对电子基团：

5.根据权利要求3所述的钙钛矿薄膜，其中，所述双官能团添加剂包括以下任意一种：

6.一种基于FAPbI₃的钙钛矿发光二极管，所述钙钛矿发光二极管自下而上依次包括：

具有ITO导电薄膜的玻璃衬底、电子传输层、修饰层、基于FAPbI₃的钙钛矿发光层、空穴传输层、空穴注入层、电极；

其中，所述基于FAPbI₃的钙钛矿发光层包括使用权利要求1-5中任一项中所述的含双官能团添加剂掺杂的三维立方相FAPbI₃的钙钛矿。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿发光二极管，其中，所述基于FAPbI₃的钙钛矿发光层包括：

甲脒氢碘酸盐、碘化铅和权利要求1-5中任一项所述的含双官能团添加剂；

所述甲脒氢碘酸盐、碘化铅和添加剂的摩尔比为2.7∶1∶x，其中x＝0.1-1。

8.根据权利要求6所述的钙钛矿发光二极管，其中：

所述电子传输层包括：ZnO；

所述修饰层包括：乙氧基化的聚乙烯亚胺；

所述空穴传输层包括：聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]或聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-co-(4，4′-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]；

所述空穴注入层包括氧化钼；

所述电极包括Au、Ag、Cu、Al中任意一种。

9.根据权利要求8所述的钙钛矿发光二极管，其中：

所述电子传输层的厚度为30-50nm；

所述修饰层的厚度为0.1-2nm；

所述基于FAPbI₃的钙钛矿发光层的厚度为10-50nm；

所述空穴传输层的厚度为20-60nm；

所述空穴注入层的厚度为5-10nm；

所述电极的厚度为50-200nm。

10.一种制备权利要求6-9中任一项所述的钙钛矿发光二极管方法，包括：

步骤一：清洗具有ITO导电薄膜的玻璃衬底并进行等离子处理；

步骤二：在等离子处理后的具有ITO导电薄膜的玻璃衬底上，依次通过旋涂法制备电子传输层、修饰层、基于FAPbI₃的钙钛矿发光层；

步骤三：在所述基于FAPbI₃的钙钛矿发光层上，依次分别通过旋涂法制备空穴传输层以及通过真空蒸镀法沉积空穴注入层、电极；

其中，所述基于FAPbI₃的钙钛矿发光层包括：

甲脒氢碘酸盐、碘化铅和权利要求1-5中任一项所述的含双官能团添加剂；

所述甲脒氢碘酸盐、碘化铅和含双官能团添加剂的摩尔比为2.7∶1∶x，其中x＝0.1-1。