[发明专利]用于处理基板的装置及用于处理基板的方法

说明书

本发明构思提供一种掩模处理方法。掩模处理方法包括通过将液体供应至掩模、并且在液体保留于掩模上的同时将激光照射至其上形成有特定图案的掩模的区域来处理掩模；在用于处理基板的工艺位置与从工艺位置偏离的备用位置之间移动包括配置为照射激光的激光单元的光学模块；及在将光学模块移动至工艺位置之前，将设置于备用位置的检验端口处的光学模块的状态调整成设定条件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月30日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0192294、以及2022年06月16日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2022-0073628的韩国专利申请的优先权和权益，它们的全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施方案是关于一种基板处理装置及基板处理方法，更具体地，是关于一种用于通过加热基板来处理基板的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

用于在晶圆上形成图案的光学微影术工艺包括曝光工艺。曝光工艺是为了将附着于晶圆的半导体集成材料切割成所需图案而事先执行的操作。曝光工艺可以具有各种目的，诸如形成用于蚀刻的图案及形成用于离子植入的图案。在曝光工艺中，使用掩模(其是一种“框架”)用光在晶圆上绘制图案。当光暴露于晶圆上的半导体集成材料(举例而言，晶圆上的抗蚀剂)时，抗蚀剂的化学性质根据通过光及掩模的图案而改变。当将显影液体供应至化学性质根据图案而改变的抗蚀剂时，在晶圆上形成图案。

为了精确执行曝光工艺，掩模上形成的图案必须经精确制造。必须检查图案形成是否满足工艺条件。在一个掩模上会形成大量图案。也就是说，操作者需要花费大量时间检验所有大量图案以检验一个掩模。因此，在掩模上形成能够代表包括多个图案的一个图案群组的监测图案。此外，在掩模上形成可以代表多个图案群组的锚定图案。操作者可以经由检验监测图案来估计包括于一个图案群组中的图案是否良好。此外，操作者可以经由检验锚定图案来估计形成于掩模上的图案是否良好。

另外，为了提高掩模检验的准确性，最佳情况是监测图案与锚定图案的临界维度相同。另外执行临界维度校正工艺以精确地校正形成于掩模处的图案的临界维度。

图1是图示了在掩模制造工艺期间执行临界维度校正工艺之前、关于掩模的监测图案的第一临界维度CDP1及第二临界维度CDP2(锚定图案的临界维度)的常态分布。此外，第一临界维度CDP1及第二临界维度CDP2具有比目标临界维度小的尺寸。在执行临界维度校正工艺之前，监测图案及锚定图案的临界维度(CD)之间存在故意的偏差。并且，通过在临界维度校正工艺中额外地蚀刻锚定图案，使这两个图案的临界维度相同。在过度蚀刻锚定图案的工艺中，如果锚定图案比监测图案更过度蚀刻，则监测图案及锚定图案的临界维度会出现差异，因此形成于掩模处的图案的临界维度可能无法准确地校正。当额外地蚀刻锚定图案时，应该伴随着锚定图案的精确蚀刻。

在蚀刻锚定图案的蚀刻工艺中，将处理液体供应至掩模，并使用激光对形成于供应有处理液体的掩模上的锚定图案进行加热。为了伴随着锚定图案的精确蚀刻，必须将激光精确地照射至形成锚定图案的特定区域。为了使激光精确地照射至锚定图案，照射至锚定图案的激光必须设定为具有设定条件。设定条件可以是形成于掩模上的锚定图案可以经均匀加热的条件。此外，设定条件可以是形成于掩模上的锚定图案可以经集体加热的条件。

如果将激光照射至形成于掩模上的锚定图案而未设定为设定条件，则可能不会在锚定图案的部分区域上执行加热。此外，激光不均匀地照射至锚定图案，这会阻碍锚定图案的精确蚀刻。

发明内容

本发明构思的实施方案提供一种用于对基板进行精确蚀刻的基板处理装置及基板处理方法。

本发明构思的实施方案提供一种用于精确加热基板的特定区域的基板处理装置及基板处理方法。