[发明专利]一种对光强自适应的雪崩光电二极管及设备

权利要求书

1.一种对光强自适应的雪崩光电二极管，其特征在于，包括：

子光敏面，所述子光敏面用于基于光电效应将接收到的光信号转化为电信号，所述子光敏面设有若干个，若干个所述子光敏面之间相互独立，所述子光敏面设有独立的子电极；

光敏面控制装置，所述光敏面控制装置设于相邻的两个所述子光敏面之间，所述光敏面控制装置同时与所述子光敏面电连接，用于控制两个所述子光敏面之间的导通或隔断；

光强监测装置，所述光强监测装置用于监测环境光强获取环境光强信号，所述光强监测装置与所述光敏面控制装置信号连接，且所述光强监测装置被配置为监测环境光强得到所述环境光强信号，并根据所述环境光强信号控制所述光敏面控制装置的开启或闭合。

2.根据权利要求1所述的一种对光强自适应的雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管还包括：

控制信号线，所述控制信号线设于所述光敏面控制装置与所述光强监测装置之间，所述控制信号线用于传输所述光强监测装置产生的控制信号。

3.根据权利要求1所述的一种对光强自适应的雪崩光电二极管，其特征在于：

若干个所述子光敏面的光敏面尺寸相同，所述子光敏面设置为扇形，所述子电极设于所述子光敏面的弧形边的边缘。

4.根据权利要求3所述的一种对光强自适应的雪崩光电二极管，其特征在于：

所述子光敏面的子电极之间串联连接，所述光强监测装置包括存储器，所述存储器中存储有光强饱和阈值，每个所述光强监测装置设有独立的光强饱和阈值；

所述光强监测装置被配置为将接收到的所述环境光强信号与所述光强饱和阈值对照，当所述环境光强信号大于所述光强饱和阈值时控制所述光敏面控制装置隔断。

5.根据权利要求4所述的一种对光强自适应的雪崩光电二极管，其特征在于：相邻的所述光强监测装置的光强饱和阈值呈相同跨度的梯度变化。

6.根据权利要求1所述的一种对光强自适应的雪崩光电二极管，其特征在于：所述光敏面控制装置包括PMOS、NMOS以及CMOS开关器件中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的一种对光强自适应的雪崩光电二极管，其特征在于：所述光强监测装置包括光强探测器，所述光强探测器的响应动态范围大于所述子光敏面。

8.根据权利要求7所述的一种对光强自适应的雪崩光电二极管，其特征在于：

所述光强探测器为光电二极管。

9.根据权利要求1所述的一种对光强自适应的雪崩光电二极管，其特征在于：所述光敏面控制装置包括开关电路，所述开关电路的两端分别连接与所述光敏面控制装置相连的两个所述子光敏面的所述子电极。

10.一种对光强自适应的光信号探测设备，其特征在于，所述光信号探测设备装配有如权利要求1至9中任意一项所述的一种对光强自适应的雪崩光电二极管。