[发明专利]聚酰亚胺膜的制造方法、覆金属层叠板的制造方法及电路基板的制造方法在审

专利信息
申请号: 202211730860.1 申请日: 2019-09-10
公开(公告)号: CN115971017A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 山田裕明;平石克文;西山哲平;安达康弘 申请(专利权)人: 日铁化学材料株式会社
主分类号: B05D7/24 分类号: B05D7/24;H05K1/03;C09D179/08;B05D1/38;B05D7/14
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨丽;刘芳
地址: 日本东京中央*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 聚酰亚胺 制造 方法 金属 层叠 路基
【权利要求书】:

1.一种聚酰亚胺膜的制造方法,其为制造聚酰亚胺膜的方法,所述聚酰亚胺膜包括:第一聚酰亚胺层(A)、以及层叠于所述第一聚酰亚胺层(A)的至少单侧的面的第二聚酰亚胺层(B),所述聚酰亚胺膜的制造方法的特征在于:

包括下述的步骤I~步骤III:

I)准备包含具有酮基的聚酰亚胺的第一聚酰亚胺层(A)的步骤;

II)在所述第一聚酰亚胺层(A)上层叠包含聚酰胺酸(b)的树脂层的步骤,所述聚酰胺酸(b)包含具有与所述酮基产生相互作用的性质的官能基;

III)连同所述第一聚酰亚胺层(A)一起对所述包含聚酰胺酸(b)的树脂层进行热处理,而使所述聚酰胺酸(b)酰亚胺化来形成第二聚酰亚胺层(B)的步骤,并且

所述包含聚酰胺酸(b)的树脂层包含四羧酸残基(1b)及二胺残基(2b),且相对于所述二胺残基(2b)1摩尔,所述四羧酸残基(1b)为0.998摩尔以下。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜的制造方法,其特征在于,构成所述第一聚酰亚胺层(A)的聚酰亚胺包含四羧酸残基(1a)及二胺残基(2a),相对于所述四羧酸残基(1a)及所述二胺残基(2a)的合计100摩尔份,所述酮基为5摩尔份以上。

3.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺膜的制造方法,其特征在于,所述第一聚酰亚胺层(A)是将包含具有酮基的聚酰胺酸(a)的树脂层层叠于基材上、并连同所述基材一起使所述聚酰胺酸(a)酰亚胺化而形成。

4.一种覆金属层叠板的制造方法,其为制造覆金属层叠板的方法,所述覆金属层叠板包括:金属层、第一聚酰亚胺层(A)、以及层叠于所述第一聚酰亚胺层(A)的单侧的面的第二聚酰亚胺层(B),所述覆金属层叠板的制造方法的特征在于:

包括下述的步骤i~步骤iv:

i)在金属层上形成至少一层以上的聚酰胺酸的树脂层的步骤,所述聚酰胺酸的树脂层在表层部具有包含具有酮基的聚酰胺酸(a)的树脂层;

ii)连同所述金属层一起对所述聚酰胺酸的树脂层进行热处理,而使所述聚酰胺酸酰亚胺化,由此在所述金属层上形成层叠有聚酰亚胺层的中间体的步骤,所述聚酰亚胺层具有包含具有酮基的聚酰亚胺的第一聚酰亚胺层(A)作为表层部;

iii)在所述第一聚酰亚胺层(A)上层叠包含聚酰胺酸(b)的树脂层的步骤,所述聚酰胺酸(b)包含具有与所述酮基产生相互作用的性质的官能基;

iv)连同所述中间体一起对所述聚酰胺酸(b)的树脂层进行热处理,而使所述聚酰胺酸(b)酰亚胺化来形成第二聚酰亚胺层(B)的步骤,并且

所述包含聚酰胺酸(b)的树脂层包含四羧酸残基(1b)及二胺残基(2b),且相对于所述二胺残基(2b)1摩尔,所述四羧酸残基(1b)为0.998摩尔以下。

5.一种电路基板的制造方法,包括:对利用如权利要求4所述的方法制造的所述覆金属层叠板的所述金属层进行配线电路加工的步骤。

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