[发明专利]一种体声波谐振器的制造方法及其应用

权利要求书

1.一种体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供所述载体；

在所述载体中刻蚀形成第一刻蚀部；

在第一刻蚀部中依次共形沉积填充材料和下电极材料层，所述填充材料的厚度大于或等于所述体声波谐振器正常工作所需要的高度；

通过平坦化工艺去除所述载体上表面的所述下电极材料层和所述填充材料，在所述第一刻蚀部内形成填充层和下电极，所述下电极的上表面、所述填充层的上表面与所述载体的上表面处于相同的平面；

在所述载体上形成压电层，所述压电层的下表面、所述载体的上表面、所述填充层的上表面以及所述下电极的上表面处于相同的平面；

其中所述第一刻蚀部的高度至少大于所述平坦化工艺中设定的所述载体的过研磨量、平坦化工艺的平坦度的范围值、下电极的厚度、以及满足所述体声波谐振器正常工作所需要的高度的总和。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成下电极之前，在所述第一刻蚀部内形成籽晶层。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述第一刻蚀部的高度至少大于所述平坦化工艺中设定的所述载体的过研磨量、平坦化工艺的平坦度的范围值、籽晶层的厚度、下电极的厚度、以及满足所述体声波谐振器正常工作所需要的高度的总和。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成籽晶层之前，在所述第一刻蚀部内形成钝化层。

5.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述第一刻蚀部的高度至少大于所述平坦化工艺中设定的所述载体的过研磨量、平坦化工艺的平坦度的范围值、钝化层的厚度、籽晶层的厚度、下电极的厚度、以及满足所述体声波谐振器正常工作所需要的高度的总和。

6.如权利要求1、3或5所述的制造方法，其特征在于：所述第一刻蚀部的各侧壁与所述第一刻蚀部的底面的夹角为90-160°。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述载体为单独的基板或者为基板和介质层组合的复合结构。

8.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于：所述下电极在所述载体上的投影轮廓与所述第一刻蚀部最小横截面在所述载体上的投影轮廓之间的间隔小于或等于所述填充材料的厚度。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于：在所述压电层上形成上电极；所述上电极在所述载体上的投影轮廓落在所述第一刻蚀部最小横截面在所述载体的投影轮廓内；在形成所述上电极后去除所述第一刻蚀部内的填充层。

10.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：

载体，在所述载体中形成有空腔；

下电极，在所述空腔内形成，所述下电极的上表面与所述载体的上表面处于相同的平面；

压电层，在所述载体上形成，所述压电层的下表面、所述载体的上表面与所述下电极的上表面处于相同的平面；

其中所述空腔的高度至少大于或等于下电极的厚度、以及满足所述体声波谐振器正常工作所需要高度的总和；

所述下电极在所述载体上的投影轮廓与所述空腔最小横截面在所述载体上的投影轮廓之间的间隔小于或等于所述体声波谐振器正常工作所需要高度。

11.如权利要求10所述的体声波谐振器，其特征在于：所述体声波谐振器正常工作所需要高度大于或等于0.5um；所述下电极的厚度在0.1～0.5um之间。

12.如权利要求11所述的体声波谐振器，其特征在于：还具有所述籽晶层，所述籽晶层位于所述空腔内，包绕所述下电极的侧表面和下表面，所述籽晶层在所述载体上的投影轮廓与所述空腔最小横截面在所述载体上的投影轮廓之间的间隔小于或等于所述体声波谐振器正常工作所需要高度和籽晶层的厚度的总和。