[发明专利]一种X射线探测器及其功能单元和制备方法在审
| 申请号： | 202211723721.6 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115988936A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 唐江;牛广达;宋子豪 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H10K71/00 | 分类号： | H10K71/00;H10K71/12;H10K30/40 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 韦汉 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射线 探测器 及其 功能 单元 制备 方法 | ||
1.一种功能单元的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
对电路基底的表面进行改性，以使钙钛矿在所述电路基底表面的成核势垒小于钙钛矿在溶液中的三维成核势垒，得到改性电路基底；
在所述改性电路基底表面生长钙钛矿晶体，得到功能单元。
2.根据权利要求1所述的功能单元的制备方法，其特征在于，所述对电路基底的表面进行改性，以使钙钛矿在所述电路基底表面的成核势垒小于钙钛矿在溶液中的三维成核势垒，得到改性电路基底，具体包括：
在所述电路基底表面形成改性层，以使钙钛矿在所述电路基底表面的成核势垒小于钙钛矿在溶液中的三维成核势垒，得到改性电路基底。
3.根据权利要求2所述的功能单元的制备方法，其特征在于，所述形成改性层的方式包括：在所述电路基底表面涂覆改性材料，后进行退火；和/或
所述形成改性层的方式包括：把所述电路基底浸泡于改性材料；和/或
所述改性材料具有疏水性；和/或
所述改性材料具有和钙钛矿配位的能力。
4.根据权利要求3所述的功能单元的制备方法，其特征在于，所述改性材料包括PTAA和APTES中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的功能单元的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为90-110℃；和/或
所述退火的时间为5-15min。
6.根据权利要求1所述的功能单元的制备方法，其特征在于，所述在所述改性电路基底表面生长钙钛矿晶体，得到功能单元，具体包括：
把所述改性电路基底浸泡于钙钛矿长晶溶液，以在所述改性电路基底表面生长钙钛矿晶体，得到功能单元。
7.根据权利要求1所述的功能单元的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿长晶溶液的成分包括钙钛矿中的至少一种；所述钙钛矿的化学式为：ABX3，其中，A为Cs+、MA+或FA+，B为Pb2+或Sn2+，X为Cl-、Br-或I-。
8.根据权利要求1所述的功能单元的制备方法，其特征在于，所述生长钙钛矿晶体中钙钛矿长晶溶液的温度为45-55℃；和/或
所述生长钙钛矿晶体中钙钛矿长晶溶液的升温速率为0.5-1.5℃/h。
9.一种功能单元，其特征在于，所述功能单元采用权利要求1至8中任一项所述的功能单元的制备方法制得。
10.一种X射线探测器，其特征在于，所述X射线探测器包括权利要求9所述的功能单元。
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