[发明专利]磁存储器及其退火方法有效
| 申请号： | 202211703454.6 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN115662482B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王戈飞;金辉;殷加亮;陈思宇 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;C21D9/00;C21D1/26;C21D1/04 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 魏梳芳 |
| 地址： | 100191 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 退火 方法 | ||
1.一种磁存储器，其特征在于，包括：多个磁存储单元，所述磁存储单元中包括至少一个磁隧道结单元；所述磁隧道结单元包括自由层、势垒层和固定层；
其中，所述磁隧道结单元被配置为：在整个磁存储器退火过程中，当对磁隧道结单元进行单点操作时，磁隧道结单元的固定层的磁化方向能发生翻转；
所述单点操作包括：对单个磁隧道结单元施加电场操作，在外磁场的辅助下，改变单个磁隧道结单元的固定层的磁化方向；
对单个磁隧道结单元施加电场操作的方式包括：通入电流穿过单个磁隧道结单元的势垒层和势垒层周围电极，使得单个磁隧道结单元升温。
2.如权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁存储器通过改变指定的单个或多个磁隧道结单元的固定层的磁化方向，写入预置数据。
3.如权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结单元之间设置有隔热材料。
4.一种磁存储器的退火方法，其特征在于，所述磁存储器包括多个磁存储单元，所述磁存储单元中包括至少一个磁隧道结单元；所述磁隧道结单元包括自由层、势垒层和固定层，所述退火方法包括：
在退火过程中，对单个或多个磁隧道结单元进行单点操作，使磁隧道结单元的固定层的磁化方向发生翻转，与其他磁隧道结单元的固定层的磁化方向相反；
其中，所述单点操作包括：对单个磁隧道结单元进行施加电场操作，在外磁场的辅助下，改变单个磁隧道结单元的固定层的磁化方向；
对单个磁隧道结单元施加电场操作的方式包括：通入电流穿过单个磁隧道结单元的势垒层和势垒层周围电极，使得单个磁隧道结单元升温。
5.如权利要求4所述的磁存储器的退火方法，其特征在于，通过对指定的单个或多个磁隧道结单元进行单点操作，改变指定的单个或多个磁隧道结单元的固定层的磁化方向，写入预置数据。
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