[发明专利]一种射频信号放大电路和通信装置在审
申请号: | 202211703448.0 | 申请日: | 2022-12-29 |
公开(公告)号: | CN115664357A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 蒋桂云;牛旭;侯阳 | 申请(专利权)人: | 广州慧智微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/52 | 分类号: | H03F1/52;H03F3/19;H03F3/193;H03F3/21;H04B1/04 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 贾伟;蒋雅洁 |
地址: | 510663 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 信号 放大 电路 通信 装置 | ||
1.一种射频信号放大电路,其特征在于,所述射频信号放大电路包括:击穿电压保护电路和用于放大射频信号的晶体管;
所述击穿电压保护电路的一端与所述晶体管的输入端连接;所述击穿电压保护电路的另一端接地;所述晶体管的输出端用于输出放大的射频信号;
所述击穿电压保护电路在所述晶体管的输入端输入的射频信号的电压值大于或等于所述击穿电压保护电路的导通电压值的情况下导通,且所述击穿电压保护电路的阻值随所述电压值增大而减小,所述晶体管的击穿电压增大;
所述击穿电压保护电路在所述晶体管的输入端输入的射频信号的电压值小于所述导通电压值的情况下截止。
2.根据权利要求1所述的射频信号放大电路,其特征在于,所述击穿电压保护电路包括:二极管和电阻;
所述二极管的阳极与所述电阻的一端连接;所述二极管的阴极接地;所述电阻的另一端与所述晶体管的输入端连接;
或者,所述击穿电压保护电路包括:二极管方式连接的保护晶体管和电阻;
所述电阻一端与所述晶体管的输入端连接,另一端通过所述保护晶体管接地。
3.根据权利要求1所述的射频信号放大电路,其特征在于,所述晶体管为三极管或场效应管。
4.根据权利要求1所述的射频信号放大电路,其特征在于,所述射频信号放大电路中包含级联的第一晶体管、第二晶体管和第一击穿电压保护电路、第二击穿电压保护电路;
所述第一晶体管的接地端接地,所述第一晶体管的输出端与所述第二晶体管的接地端连接,所述第二晶体管的输出端与直流电源连接;所述第二晶体管的输出端用于输出放大的射频信号;所述第一晶体管的输入端用于输入射频信号;
所述第一击穿电压保护电路的一端与所述第一晶体管的输入端连接,所述第一击穿电压保护电路的另一端接地;所述第二击穿电压保护电路的一端与所述第二晶体管的输入端连接,所述第二击穿电压保护电路的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的射频信号放大电路,其特征在于,
所述第一击穿电压保护电路在所述第一晶体管的输入端输入的射频信号的第一电压值大于或等于所述第一击穿电压保护电路的第一导通电压值的情况下导通,且所述第一击穿电压保护电路的第一阻值随所述第一电压值增大而减小,所述第一晶体管的第一击穿电压增大;
所述第二击穿电压保护电路在所述第二晶体管的接地端输入的第一射频信号的第二电压值大于或等于所述第二击穿电压保护电路的第二导通电压值的情况下导通,且所述第二击穿电压保护电路的第二阻值随所述第二电压值增大而减小,所述第二晶体管的第二击穿电压增大。
6.根据权利要求1所述的射频信号放大电路,其特征在于,所述射频信号放大电路中包含一个击穿电压保护电路、多个晶体管和切换开关;
所述击穿电压保护电路的一端与所述切换开关的单端连接;所述击穿电压保护电路的另一端接地;所述切换开关的多端分别与所述多个晶体管连接;所述多个晶体管的接地端分别接地;所述多个晶体管的输出端用于输出放大的射频信号。
7.根据权利要求6所述的射频信号放大电路,其特征在于,
在所述切换开关导通所述多端中的第一端后,所述击穿电压保护电路在所述第一端连接的第一晶体管的输入端输入的射频信号的电压值大于或等于所述击穿电压保护电路的导通电压值的情况下导通,且所述击穿电压保护电路的阻值随所述电压值增大而减小,所导通的晶体管的击穿电压增大。
8.根据权利要求2所述的射频信号放大电路,其特征在于,所述电阻为可调电阻;所述二极管为可调二极管。
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