[发明专利]一种极片及其制备方法

权利要求书

1.一种极片，其特征在于，包括自支撑膜和集流体；

所述自支撑膜包括聚四氟乙烯、负极活性材料和导电剂；所述负极活性材料包括球型或类球型活性材料；

所述极片的厚度H通过以下公式获得：H＝180-2A-100B；

其中，A为所述球型或类球型活性材料的直径D₅₀，B为所述球型或类球形活性材料占比。

2.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述球型或类球型活性材料的直径D₅₀为5um≤D₅₀≤20um；

所述球型或类球型活性材料占所述负极活性材料总质量的70％以上。

3.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述负极活性材料还包括非球型活性材料。

4.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述负极活性材料添加量为90-99％，所述聚四氟乙烯添加量为0.5-5％，所述导电剂添加量为0.5-5％。

5.根据权利要求1-4任一项所述的极片，其特征在于，所述负极活性材料包括人造石墨、天然石墨、中间相碳微球和硬碳中的一种或多种；

和/或所述导电剂包括乙炔黑、Super-P、碳纳米管、碳纤维、科琴黑、石墨导电剂和石墨烯中的一种或多种。

6.一种权利要求1-5任一项所述极片的制备方法，其特征在于，包括：

(1)将聚四氟乙烯依次进行冷冻破碎处理及气流粉碎处理，得到聚四氟乙烯纤维材料；

(2)将所述聚四氟乙烯纤维材料、负极活性材料和导电剂混合密炼后辊压，得到自支撑膜；

(3)将所述自支撑膜与所述集流体复合，获得所述极片。

7.根据权利要求6所述的极片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述冷冻破碎处理的温度为-5℃～-30℃；

和/或所述气流粉碎处理的粉碎压力为0.3-0.7Mpa。

8.根据权利要求6所述的极片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述密炼的温度为100-200℃，时间为6-20min；

和/或所述辊压为热辊压。

9.一种电极，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的极片，和/或权利要求6-8任一项所述方法制备得到的极片。

10.一种储能装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的极片，和/或权利要求6-8任一项所述方法制备得到的极片，和/或权利要求9所述的电极。