[发明专利]一种高对比度的LED器件的发光结构及其制作方法

权利要求书

1.一种高对比度的LED器件的发光结构，其特征在于：包括基板、若干芯片、荧光层、反射层和填充层；所述荧光层覆盖在所述芯片上方并形成独立的发光单元，所述反射层包裹在所述发光单元外周壁，所述反射层包括金属层和铺设在所述金属层内外表面的介质层，若干所述发光单元矩阵排列设置在所述基板上，相邻两所述发光单元之间存在间隙，所述间隙处设有填充层。

2.根据权利要求1所述的高对比度的LED器件的发光结构，其特征在于：所述芯片远离所述荧光层的一端还设有n电极和p电极，所述n电极和p电极与所述基板对应电极焊盘焊接连接。

3.根据权利要求1所述的高对比度的LED器件的发光结构，其特征在于：所述荧光层呈上层窄、下层宽结构，所述荧光层下端面与所述芯片上端面抵接配合，所述荧光层下层横截面积大于所述芯片横截面积。

4.根据权利要求1所述的高对比度的LED器件的发光结构，其特征在于：所述反射层远离所述基板的一端设有出光口，所述出光口与所述荧光层上端面重叠设置。

5.根据权利要求4所述的高对比度的LED器件的发光结构，其特征在于：所述金属层包括单层金属层结构和多层金属层结构，多层所述金属层结构由若干所述金属层叠加形成。

6.根据权利要求5所述的高对比度的LED器件的发光结构，其特征在于：单层所述金属层结构包括全包裹状态和半包裹状态；

处于全包裹状态时，所述金属层环向包裹住所述荧光层和芯片，所述金属层远离所述出光口的下端面与所述芯片下端面处于同一水平面；

处于半包裹状态时，所述金属层环向包裹住所述荧光层，所述金属层远离所述出光口的下端面与所述荧光层下端面处于同一水平面。

7.根据权利要求6所述的高对比度的LED器件的发光结构，其特征在于：多层所述金属层结构仅包括全包裹状态；

处于全包裹状态时，第一层所述金属层环向包裹住所述荧光层和芯片，第二层所述金属层环向包裹住第一层所述金属层的外层壁......第n层所述金属层环向包裹住第n-1层所述金属层的外层壁。

8.根据权利要求5所述的高对比度的LED器件的发光结构，其特征在于：所述金属层采用Al，Ag，Au，Pt，Rh的一种或几种金属构成，所述单层金属层和多层金属层利用蒸镀、溅射、离子镀等工艺获得。

9.根据权利要求5所述的高对比度的LED器件的发光结构，其特征在于：所述填充层表面呈弧形微凸结构。

10.一种高对比度的LED器件的发光结构的制作方法，其特征在于，适用于权利要求1-9中任一项所述的高对比度的LED器件的发光结构，包括以下步骤：

S1、将若干芯片对应焊接在基板的电极焊盘上；

S2、使用刀片对荧光层进行精切割，获得单颗荧光层后覆盖在芯片上方形成单独的发光单元；

S3、在每一发光单元外周壁镀上反射层；

S4、在镀完反射层的发光单元间隙处填充填充层，得到高对比度的LED器件；

S5、同时点亮一定数量的发光元素，与无反射层包裹的普通LED器件进行比对出光效率。