[发明专利]集成有导热层的光子器件在审
| 申请号： | 202211687583.0 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN116505364A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | H·M·迪克西特;W·J·小泰勒;卞宇生;T·莱塔维奇;O·D·雷斯特雷波 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/22;H01L31/024 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;牛南辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 导热 光子 器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
位于衬底上方的第一导热层；
位于所述衬底上方的第二导热层，其中，所述第一导热层和所述第二导热层电隔离；以及
位于所述衬底上方的光电子部件，所述光电子部件横向位于所述第一导热层和所述第二导热层之间，并且所述光电子部件与所述第一导热层和所述第二导热层间隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导热层和所述第二导热层包括金属。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
位于衬底上方的第一半导体层，其中，所述第一导热层位于所述第一半导体层上；以及
位于所述衬底上方的第二半导体层，其中，所述第二导热层位于所述第二半导体层上。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一导热层和所述第二导热层包括金属半导体化合物。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导热层具有宽度，所述第二导热层具有宽度，并且所述第一导热层的所述宽度与所述第二导热层的所述宽度相同。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导热层具有宽度，所述第二导热层具有宽度，并且所述第一导热层的所述宽度不同于所述第二导热层的所述宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述光电子部件之上的电介质包覆材料，所述电介质包覆材料横向位于所述光电子部件和所述第一导热层之间，并且所述电介质包覆材料横向位于所述光电子部件和所述第二导热层之间。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导热层和所述第二导热层偏移离开所述光电子部件。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一导热层和所述第二导热层包括偏移离开所述光电子部件的弯曲部。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导热层和所述第二导热层平行于所述光电子部件。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述光电子部件与所述第一导热层间隔开第一间距，并且所述光电子部件与所述第二导热层间隔开第二间距。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一间距不同于所述第二间距。
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述光电子部件是波导，所述波导具有被配置为接收光信号的输入端，并且其中，所述第一间距和所述第二间距根据相对于所述波导的所述输入端的位置而变化。
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述光电子部件与所述第一导热层和所述第二导热层等距。
15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述光电子部件是波导，所述波导包括弯曲部，并且其中，所述第一导热层和所述第二导热层各自包括与所述波导的所述弯曲部对应的弯曲部。
16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述光电子部件是波导，所述波导具有被配置为接收光信号的输入端，并且其中，所述第一导热层和所述第二导热层具有根据相对于所述波导的所述输入端的位置而变化的宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司，未经格芯（美国）集成电路科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211687583.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种药丸GC-MSMS指纹图谱的方法
- 下一篇：一种光学镜片切换机构
