[发明专利]难熔高熵非晶合金薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202211687510.1 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN115961222A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 柯海波;赵航;周靖;刘霄;闫玉强;孙保安;白海洋;汪卫华 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | C22C45/10 | 分类号： | C22C45/10;C23C14/35;C23C14/14;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 黄亚茹 |
| 地址： | 523808 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 难熔高熵非晶 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种难熔高熵非晶合金薄膜，其特征在于，所述难熔高熵非晶合金薄膜的表达式为NbaMobTacWdMe；
其中，M为Co和Ni的至少一种，表达式中a、b、c、d和e分别表示各对应合金元素的原子百分含量，且a为18.75～21.25，b为18.75～21.25，c为18.75～21.25，d为18.75～21.25，e为15～25。
2.根据权利要求1所述的难熔高熵非晶合金薄膜，其特征在于，a＝b＝c＝d，a+b+c+d+e＝100。
3.根据权利要求2所述的难熔高熵非晶合金薄膜，其特征在于，a＝b＝c＝d＝e。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的难熔高熵非晶合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
以构成所述难熔高熵非晶合金薄膜的各合金元素为靶材，在氩气气氛下在基底表面进行磁控溅射，获得所述难熔高熵非晶合金薄膜。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的温度为25～300℃；
可选地，所述磁控溅射的温度为50～80℃；
可选地，所述磁控溅射的温度为60～65℃。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氩气的流量为30～85sccm；
可选地，所述氩气的流量为60～70sccm。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射包括先抽真空，然后通入所述氩气；
其中，所述氩气形成的所述磁控溅射的工作压强为0.5～0.9Pa。
8.根据权利要求4-7任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的靶基距为90～110mm。
9.根据权利要求4-7任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述靶材为NbMoTaW合金靶材以及M靶材，所述NbMoTaW合金靶材的溅射功率为200～300W，所述M靶材的溅射功率为20～60W；
可选地，所述NbMoTaW合金靶材的溅射功率为240～260W。
10.根据权利要求4-7任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的时间为30～60min。
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