[发明专利]一种组合物、制备方法及其在晶圆激光切割中的应用

说明书

本申请公开了一种组合物、制备方法及其在晶圆激光切割中的应用，组合物以质量份计，包括：水溶性树脂20‑35份；流平剂0.05‑0.3份；紫外线吸收剂0.1‑0.5份；缓蚀剂0.1‑3份；增塑剂2‑10份；有机溶剂45‑70份；去离子水15‑30份；其中，水溶性树脂包括亲水基团，亲水基团选自羟基、酰胺基、羧基中的任一种或多种。本申请采用具有酰胺基、羟基、羧基等亲水基团且分子量介于50000‑80000的水溶性树脂，提高了组合物在晶圆表面的成膜性，能够适应不同形状的晶圆基材，并且由于以上亲水基团的存在，使得组合物形成的保护膜在切割工艺完成后能够被水溶解并快速清洗去除，大幅提高制备工艺的效率。

技术领域

本申请属于芯片封装技术领域，具体涉及一种组合物、制备方法及应用。

背景技术

为了避免激光切割对基底硅片造成的损伤，激光加工前需要在基底表面涂覆保护液形成保护膜，以便在加工过程中能够很好的保护芯片；现有用于激光切割的保护液粘度较大，涂布不方便，而且对含凹凸结构的倒装芯片晶圆保护不完全，不能保护凹凸结构免于被污染或被腐蚀。

发明内容

申请目的：本申请提供一种高固含量、低粘度的组合物，以提高半导体制造过程中的良品率和生产率；本申请的另一目的在于提供一种组合物的制备方法；本申请的另一目的在于提供一种组合物的应用。

技术方案：本申请的一种组合物，以质量份计，所述组合物包括：

水溶性树脂20-35份；流平剂0.05-0.3份；紫外线吸收剂0.1-0.5份；缓蚀剂0.1-3份；增塑剂2-10份；有机溶剂45-70份；去离子水15-30份；

其中，所述水溶性树脂包括亲水基团，所述亲水基团选自羟基、酰胺基、羧基中的至少一种。

在一些实施例中，所述组合物包括：

水溶性树脂25-30份；流平剂0.05-0.1份；紫外线吸收剂0.2-0.3份；缓蚀剂1-2份；增塑剂2-5份；有机溶剂60-70份；去离子水15-20份。

在一些实施例中，所述水溶性树脂由第一单体和第二单体通过共聚制得；其中，所述第一单体选自侧基含有所述羟基、所述酰胺基、所述羧基的至少一种的化合物，所述第二单体选自侧基含有所述羟基、所述酰胺基、所述羧基中的至少一种的化合物。

在一些实施例中，所述第一单体选自侧基含有所述酰胺基的化合物，所述第二单体选自侧基含有所述羟基的化合物；或者

所述第一单体选自侧基含有所述酰胺基的化合物，所述第二单体选自侧基含有所述羧基的化合物；或者

所述第一单体选自侧基含有所述酰胺基的化合物，所述第二单体选自侧基含有所述酰胺基的化合物，且所述第二单体与所述第一单体各自为不同的化合物。

在一些实施例中，所述第一单体选自苯甲酰胺、丙烯酰胺、N,N-二甲基甲酰胺中至少一种，所述第二单体选自甲基丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸羟丁酯中的至少一种；或者

所述第一单体选自苯甲酰胺、丙烯酰胺、N,N-二甲基甲酰胺中至少一种，所述第二单体选自丙烯酸、甲基丙烯酸、顺丁烯二酸酐、亚甲基丁二酸中的至少一种；

所述第一单体选自苯甲酰胺、丙烯酰胺、N,N-二甲基甲酰胺中至少一种，所述第二单体选自苯甲酰胺、丙烯酰胺、N,N-二甲基甲酰胺中的至少一种，且第一单体和第二单体为各自不同的化合物。

在一些实施例中，所述第一单体和所述第二单体共聚的质量比为25:(5-10)。

在一些实施例中，所述水溶性树脂的分子量为50000～80000。

在一些实施例中，所述流平剂选自聚醚改性有机硅、聚酯改性有机硅、端基改性有机硅中的至少一种；和/或