[发明专利]一种芯片上电复位模块、相应的芯片及电子设备

权利要求书

1.一种芯片上电复位模块，其特征在于包括电源状态检测电路、信号放大整形电路、输出驱动电路以及动态响应增强电路；其中，

所述电源状态检测电路用于对芯片电源进行检测，当电源电压状态发生翻转，产生与当前电源状态相对应的模拟信号；

所述信号放大整形电路用于对所述电源状态检测电路输出的所述模拟信号进行迟滞放大，然后将放大信号整形，输出数字信号；

所述输出驱动电路用于对所述数字信号进行缓冲驱动输出，产生上电复位信号，以驱动负载；

所述动态响应增强电路用于监测所述输出驱动电路上输出的上电复位信号，在所述上电复位信号为高电平时，锁定所述上电复位信号的状态；其中，所述动态响应增强电路包括第一锁定电路和第二锁定电路，所述第一锁定电路由PMOS管（MP0）和第一电容（C1）组成，所述第二锁定电路由NMOS管（MN0）和第二电容（C2）组成。

2.如权利要求1所述的芯片上电复位模块，其特征在于：

所述PMOS管（MP0）的源极与第一电容（C1）的一端相连接，所述PMOS管（MP0）的漏极作为所述动态响应增强电路的输出端，所述PMOS管（MP0）的栅极与所述输出驱动电路的第一级整形电路的输出端相连；所述第一电容（C1）的另一端与电源端（VDD）连接；

所述NMOS管（MN0）的漏极与第二电容（C2）的一端相连接；所述NMOS管（MN0）的源极与接地端（GND）相连接，所述NMOS管（MN0）的栅极接收所述上电复位信号；所述第二电容（C2）的另一端与所述信号放大整形电路的输出端连接。

3.如权利要求2所述的芯片上电复位模块，其特征在于：

所述电源状态检测电路由电阻（R0）和电容（C0）串联组成；其中，所述电阻（R0）的另一端与电源端（VDD）连接，所述电容（C0）的另一端与接地端（GND）连接。

4.如权利要求2所述的芯片上电复位模块，其特征在于：

所述电源状态检测电路由第七PMOS管（MP7）和电容（C0）组成；第七PMOS管（MP7）的栅极与电容（C0）的一端相连并连接到接地端（GND）；第七PMOS管（MP7）的源极与电源端（VDD）相连接；第七PMOS管（MP7）的漏极与电容（C0）的另一端相连接。

5.如权利要求3或4所述的芯片上电复位模块，其特征在于：

所述第一电容（C1）的电容值大于所述电容（C0）的电容值。

6.如权利要求1所述的芯片上电复位模块，其特征在于：

所述信号放大整形电路由第一PMOS管（MP1）、第二PMOS管（MP2）、第三PMOS管（MP3）、第四PMOS管（MP4），第一NMOS管（MN1）、第二NMOS管（MN2）、第三NMOS管（MN3）、第四NMOS管（MN4），第一电阻（R1）及第二电阻（R2）组成；其中，第一PMOS管（MP1）、第二PMOS管（MP2）、第一NMOS管（MN1）、第二NMOS管（MN2）的栅极与PMOS管（MP0）的漏极相连接；第二PMOS管（MP2）和第二NMOS管（MN2）的漏极与第二电容（C2）的一端以及第三PMOS管（MP3）、第三NMOS管（MN3）的栅极相连接，并作为所述信号放大整形电路的输出端；第三PMOS管（MP3）、第三NMOS管（MN3）的栅极与第四PMOS管（MP4）、第四NMOS管（MN4）的栅极相连接；第四PMOS管（MP4）、第四NMOS管（MN4）的漏极相连接并作为所述信号放大整形电的输出端。