[发明专利]一种基于光放大器和硅光微腔的激光器

权利要求书

1.一种基于光放大器和硅光微腔的激光器，其特征在于，包括：

衬底；

基于3微米SOI平台的硅光芯片作为光学微腔，置于所述衬底上；

反射型半导体光学放大器，置于所述衬底上，并在光输入侧镀有抗反射膜，在所述光输入侧的对侧镀有高反射膜；所述反射型半导体光学放大器与所述光学微腔进行倒装焊耦合。

2.根据权利要求1所述的基于光放大器和硅光微腔的激光器，其特征在于，所述光学微腔包括螺旋波导、两个级联的微环谐振器以及Sagnac反射镜，所述螺旋波导的输入端与所述反射型半导体光学放大器耦合，输出端与所述两个级联的微环谐振器相连，所述两个级联的微环谐振器作为波长选择反馈元件，用于调节激光的纵模，得到单纵模激光；所述Sagnac反射镜与所述两个级联的微环谐振器的输出端相连，用于将形成的单纵模激光中的一部分反射回所述反射型半导体光学放大器，起到控制谐振腔的Q值以及出射功率的作用。

3.根据权利要求2所述的基于光放大器和硅光微腔的激光器，其特征在于，所述螺旋波导的输出端与所述两个级联的微环谐振器之间还设置有热光移相器，所述热光移相器用于波长的精细调节。

4.根据权利要求1所述的基于光放大器和硅光微腔的激光器，其特征在于，所述光学微腔与所述反射型半导体光学放大器进行倒装焊耦合时，利用倒置封装耦合台实现水平方向对准，通过硅芯片上工艺形成高度可控的限位结构实现竖直方向对准。

5.根据权利要求1所述的基于光放大器和硅光微腔的激光器，其特征在于，所述光学微腔与所述反射型半导体光学放大器进行倒装焊耦合时，通过控制刻蚀气体的比例来调控所述光学微腔中波导器件的陡直度，利用氢退火工艺调控所述光学微腔中波导器件的侧壁粗糙度，通过在线实时监测的方法实现所述光学微腔中波导器件深度的控制。

6.根据权利要求1所述的基于光放大器和硅光微腔的激光器，其特征在于，所述反射型半导体光学放大器采用Anritusu公司的AE5T315BY70P型号的增益芯片。