[发明专利]硅料熔化方法、单晶硅棒拉制方法和单晶硅棒拉制装置

权利要求书

1.一种硅料熔化方法，其特征在于，所述硅料熔化方法包括：

提供炉体，所述炉体内装有坩埚和加热器；

器将硅料装入所述坩埚中；

将所述炉体内的炉压以第一预设速率调节至第一预设范围；

将所述加热器的功率以第二预设速率调节至第二预设范围，以加热所述坩埚内的硅料；

保持第一预设时长，直至所述硅料熔化成硅液。

2.根据权利要求1所述的硅料熔化方法，其特征在于，所述将所述加热器的功率以第二预设速率调节至第二预设范围，以加热所述坩埚内的硅料的步骤中，所述坩埚的转速满足第三预设范围；

所述保持第一预设时长，直至所述硅料熔化成硅液的步骤中，所述坩埚的转速逐渐降低。

3.根据权利要求2所述的硅料融化方法，其特征在于，所述坩埚的转速逐渐降低的步骤包括：

逐渐降低所述坩埚的转速，直至将所述坩埚的转速降低至0。

4.根据权利要求1所述的硅料熔化方法，其特征在于，所述将所述炉体内的炉压以第一预设速率调节至第一预设范围的步骤之前，还包括：

以预设流量向所述炉体内通入惰性气体。

5.根据权利要求4所述的硅料熔化方法，其特征在于，所述预设流量为100-200标准公升每分钟。

6.根据权利要求1所述的硅料熔化方法，其特征在于，所述第一预设速率为1-5托每分钟；所述第一预设范围为50-100托。

7.根据权利要求2所述的硅料熔化方法，其特征在于，所述第二预设速率为10-30千瓦每小时，所述第二预设范围小于120千瓦。

8.根据权利要求2所述的硅料熔化方法，其特征在于，所述第一预设时长为5-30分钟。

9.根据权利要求1至8任一项所述的硅料熔化方法，其特征在于，所述硅料熔化方法还包括：

将所述加热器的功率以第二预设速率进行增加，并持续第二预设时长，其中，所述坩埚的转速满足第四预设范围。

10.根据权利要求9所述的硅料熔化方法，其特征在于，所述第二预设速率为1千瓦每分钟，所述第二预设时长为1小时，所述第四预设范围为5-10转每分钟。

11.一种单晶硅棒拉制方法，其特征在于，在采用权利要求1至10任一项所述的硅料熔化方法将硅料进行熔化之后，所述单晶硅棒拉制方法还包括：

切换至拉晶工序，从坩埚的硅液中拉晶，以得到单晶硅棒。

12.根据权利要求11所述的单晶硅棒拉制方法，其特征在于，所述拉晶工序中，所述加热器的功率为50-70千瓦，所述炉体内的炉压为5-20托，所述坩埚的转速为5-10转每分钟。

13.一种单晶硅棒拉制装置，其特征在于，所述单晶硅棒拉制装置包括：

炉体；

坩埚，所述坩埚设置于所述炉体内，用于容纳硅料；

加热器，所述加热器设置于所述炉体内，用于加热所述坩埚内的硅料；

其中，在将所述硅料装入所述坩埚后，可将所述炉体内的炉压以第一预设速率调节至第一预设范围；将所述加热器的功率以第二预设速率调节至第二预设范围，以加热所述坩埚内的硅料；保持第一预设时长，直至所述硅料熔化成硅液；切换至拉晶工序，从所述坩埚的硅液中拉晶，以得到单晶硅棒。