[发明专利]一种基于点状碳纳米管阴极的电离真空计

权利要求书

1.一种基于点状碳纳米管阴极的电离真空计，其特征在于，包括依次连接的阴极、引出极、聚集系统、电离室、电子收集极以及偏转极，其中：

所述阴极作为场发射电子源，选用生长在不锈钢衬底上的碳纳米管阵列；

所述引出极是中心为栅网的孔板结构；

所述聚集系统包括依次连接的第一透镜、聚集极以及第二透镜；

所述电离室的内部设置有离子收集极；

所述阴极、所述引出极以及所述聚集系统设置在所述电离室的前端，所述电子收集极以及所述偏转极设置在所述电离室的后端。

2.根据权利要求1所述的基于点状碳纳米管阴极的电离真空计，其特征在于，各个电极之间均采用陶瓷材料进行隔离，工作温度为室温。

3.根据权利要求1所述的基于点状碳纳米管阴极的电离真空计，其特征在于，所述引出极栅网由金属细丝绕制或者金属薄板刻蚀而成，所述栅网的材料为钨丝或者钼丝。

4.根据权利要求1所述的基于点状碳纳米管阴极的电离真空计，其特征在于，所述电离室由两段相接的圆筒状结构组成。

5.根据权利要求4所述的基于点状碳纳米管阴极的电离真空计，其特征在于，所述离子收集极包括收集环和收集杆，其中：

所述收集环设置在所述电离室的内部，靠近所述电离室的入口位置；

所述收集杆固定在收集环上，用于离子的收集和电子束的聚集。

6.根据权利要求1所述的基于点状碳纳米管阴极的电离真空计，其特征在于，工作状态下，所述阴极的电位为-100V-0V，所述引出极的电位为700V-1500V，所述第一透镜的电位为0V-50V，所述聚焦极的电位为800V-2000V，所述第二透镜的电位为200V-800V，所述电离室的电位为70V-250V，所述离子收集极的电位为0V，所述电子收集极的电位为200V-800V，所述偏转极的电位为-100V-0V。