[发明专利]一种新型芯片保护环结构

权利要求书

1.一种新型芯片保护环结构，其特征在于，所述保护环围绕设于芯片上位于中部的电路区域和位于所述电路区域外侧的划片槽之间的介质层中，所述电路区域中包括位于所述芯片的不同侧上的第一子电路区域和第二子电路区域，所述保护环包括相连为环状的第一保护环段和第二保护环段，所述第一保护环段位于所述第一子电路区域的对应侧，所述第一保护环段自下而上包括相连位于衬底的有源区上的第一绝缘层、第一过孔层和第一金属层，所述第二保护环段自下而上包括相连位于所述衬底的所述有源区上的第二过孔层和第二金属层；其中，所述第一过孔层、所述第一金属层与所述第二过孔层、所述第二金属层对应相连，所述第一绝缘层与所述第二过孔层通过各自的侧壁相紧密接触，以使来源于所述第二子电路区域的噪音电流在沿所述第二金属层流至所述第一金属层时，被所述第一绝缘层阻断向下流至所述衬底的通路。

2.根据权利要求1所述的新型芯片保护环结构，其特征在于，所述保护环并列设置多个。

3.根据权利要求1所述的新型芯片保护环结构，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第一过孔层和所述第二过孔层自内向外对应设置多道。

4.根据权利要求1所述的新型芯片保护环结构，其特征在于，所述衬底包括P-型衬底，所述P-型衬底上还设有P阱，P+型的所述有源区位于所述P阱上。

5.根据权利要求1所述的新型芯片保护环结构，其特征在于，所述第一绝缘层自下而上包括第一氧化物层、第一半导体层和第一氮化物层的叠层结构，所述第一氧化物层相连位于所述有源区上，所述第一氮化物层连接所述第一过孔层。

6.根据权利要求5所述的新型芯片保护环结构，其特征在于，所述第一氧化物层、所述第一半导体层和所述第一氮化物层与所述电路区域中设有的栅极结构中的栅氧层、栅极层和氮化物层位于对应的工艺层次上。

7.根据权利要求1所述的新型芯片保护环结构，其特征在于，所述第一金属层自下而上包括多层第一金属互连线条层，和连接位于相邻两层所述第一金属互连线条层之间的第一通孔层，所述第二金属层自下而上包括多层第二金属互连线条层，和连接位于相邻两层所述第二金属互连线条层之间的第二通孔层，所述第一金属互连线条层与所述第二金属互连线条层对应相连，所述第一通孔层与所述第二通孔层对应相连。

8.根据权利要求7所述的新型芯片保护环结构，其特征在于，所述第一金属互连线条层和所述第二金属互连线条层与所述电路区域中设有的金属互连层中的第三金属互连线条层位于对应的工艺层次上，所述第一通孔层和所述第二通孔层与所述金属互连层中位于相邻两层所述第三金属互连线条层之间的第三通孔层位于对应的工艺层次上。

9.根据权利要求7所述的新型芯片保护环结构，其特征在于，所述第一通孔层和所述第二通孔层自内向外对应设置多道。

10.根据权利要求1所述的新型芯片保护环结构，其特征在于，所述第一子电路区域设有模拟电路和射频电路中的至少一个，所述第二子电路区域设有包含电源输入信号线和信号输出焊盘的数字电路。