[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202211644514.1 | 申请日: | 2020-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN115911079A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
| 发明(设计)人: | 王林志;席克瑞;李伟;秦锋 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 许利波 |
| 地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,显示面板的制备方法包括包括提供转运衬底并在转运衬底上转运多个发光二极管,得到转运基板;提供驱动衬底并在驱动衬底上制备驱动电路,得到驱动基板;对位键合转运基板和驱动基板,得到二极管显示面板。采用上述技术方案,通过在转运衬底上转运多个发光二极管,得到包括多个发光二极管的转运基板,然后一次对位键合转运基板和驱动基板,得到大尺寸的二极管显示面板。本发明实施提供的显示面板的制备方法可以通过一次对位键合得到大尺寸的二极管显示面板,区别于现有技术中只能分批多次对位键合,得到二极管显示面板的技术方案,减少对位键合次数,保证二极管显示面板制备工艺简单。
本申请为申请日为2020年06月29日,申请号为202010611465.6,发明创造名称为“一种显示面板及其制备方法、显示装置”的分案申请。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
Micro-LED(微发光二极管)是新型显示技术,和现有的OLED(有机发光二极管)显示相比,亮度更高、发光效率更好,并且Micro-LED体积较小,可以采用Micro-LED实现透明显示。
对于大面积的透明显示,目前成熟的Micro-LED转移设备基本只能支持8寸大小的衬底转移,因此无法一次直接在大面积的透明基板上成型,例如直接在车窗上实现大面积透明显示。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,通过一次对位键合,实现大面积透明显示。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法,包括:
提供转运衬底并在转运衬底上转运多个发光二极管,得到转运基板;
提供驱动衬底并在驱动衬底上制备驱动电路,得到驱动基板;
对位键合转运基板和驱动基板,得到二极管显示面板。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,采用第一方面的显示面板的制备方法制备得到,显示面板包括转运基板和驱动基板,转运基板与驱动基板对位连接;
转运基板包括转运衬底以及转运至转运衬底上的多个发光二极管;
驱动基板包括驱动衬底以及设置于驱动衬底朝向转运基板一侧的驱动电路。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括第二方面的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板的制备方法,通过在转运衬底上转运多个发光二极管,得到包括多个发光二极管的转运基板,然后一次对位键合转运基板和驱动基板,得到大尺寸的二极管显示面板,如此通过一次对位键合即可得到大尺寸的二极管显示面板,区别于现有技术中只能分批多次对位键合得到二极管显示面板的技术方案,本发明实施例提供的显示面板的制备方法可以减少对位键合次数,保证二极管显示面板制备工艺简单。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图;
图2是本发明又一实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图;
图3是与图2所示制备方法对应的一种显示面板的俯视结构示意图;
图4是图3所示显示面板中的驱动基板及其驱动电路的结构示意图;
图5是图4所示驱动基板沿AA’截取的剖面结构示意图;
图6是图4所示驱动基板沿BB’截取的剖面结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211644514.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种动力电池故障检测方法和装置
- 下一篇:一种石灰回转窑窑尾除尘灰的利用方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





