[发明专利]SSD的乱序并发读和擦写混合保序加速方法及相关设备在审
申请号: | 202211643636.9 | 申请日: | 2022-12-20 |
公开(公告)号: | CN115840536A | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 罗宗扬;王猛;徐伟华 | 申请(专利权)人: | 苏州忆联信息系统有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F5/06;G06F12/02 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 周永敬 |
地址: | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ssd 并发 擦写 混合 加速 方法 相关 设备 | ||
本发明实施例公开了一种SSD的乱序并发读和擦写混合保序加速方法及相关设备,方法包括:接收下发的擦写读请求;根据擦写读请求的类型制定下发决策,并根据制定的下发决策将擦写读请求下发至fifo列队中,所述fifo列队中包括planeRfifo和EPfifo;从fifo列队获取并发的发送请求;对并发的发送请求进行仲裁,并将仲裁胜出的请求发送给nandflash对应的plane执行。本发明实现了多个plane并行的进行读,同时保证了擦和写的顺序,确保了混合读写场景性能及数据的一致性,提升了SSD读性能和混合读写性能。
技术领域
本发明涉及数据存储技术领域,更具体地说是SSD的乱序并发读和擦写混合保序加速方法及相关设备。
背景技术
Nandflash发展趋势是单lun的容量逐渐增加,近年已经从16GB增加到32GB,后续进一步增加到64GB、128GB。对于同一容量的SSD盘,单lun容量成倍增加,lun数会减少,带来的影响是nandflash阵列的并发度降低,SSD的性能降低。
现有的SSD控制器不支持nandflash的plane并发读操作,需要等待前一个读完成之后再下发下一个读,plane之间无法并发进行读,无法将nandflash的读性能发挥出来,影响SSD整体读性能。如图1所示,连续过来的读请求R1-R8,是对应到nand的4个plane的,由于不支持plane并发读,导致命令只能一个一个与nand颗粒进行交互,4个plane的并发无法发挥出来,只能体现1个plane的读性能。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供SSD的乱序并发读和擦写混合保序加速方法及相关设备。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,SSD的乱序并发读和擦写混合保序加速方法,包括:
接收下发的擦写读请求;
根据擦写读请求的类型制定下发决策,并根据制定的下发决策将擦写读请求下发至fifo列队中,所述fifo列队中包括planeRfifo和EPfifo;
从fifo列队获取并发的发送请求;
对并发的发送请求进行仲裁,并将仲裁胜出的请求发送给nandflash对应的plane执行。
其进一步技术方案为:所述根据擦写读请求的类型制定下发决策,并根据制定的下发决策将擦写读请求下发至fifo列队中,所述fifo列队中包括planeRfifo和EPfifo,包括:
若下发的擦写读请求为写或者擦类型,则判断fifo列队中是否所有planeRfifo都为空;
若所有planeRfifo都为空,则将写或者擦类型的请求下发到EPfifo中。
其进一步技术方案为:所述根据擦写读请求的类型制定下发决策,并根据制定的下发决策将擦写读请求下发至fifo列队中,所述fifo列队中包括planeRfifo和EPfifo,还包括:
若下发的擦写读请求为读类型,则判断fifo列队中是否至少存在为空的planeRfifo;
若存在,则将读类型的请求下发到planeRfifo中。
其进一步技术方案为:所述对并发的发送请求进行仲裁,并将仲裁胜出的请求发送给nandflash对应的plane执行,包括:
判断EPfifo中是否有请求内容;
若EPfifo中有请求内容,则优先执行EPfifo中的请求内容;
若EPfifo中没有请求内容,则多个planeRfifo中的请求内容轮转执行。
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