[发明专利]电流镜电路在审
申请号: | 202211643178.9 | 申请日: | 2022-12-20 |
公开(公告)号: | CN115933792A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 李俊;许东华;王浩然;钱永学;黄鑫 | 申请(专利权)人: | 北京昂瑞微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 梁栋国 |
地址: | 100085 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 电路 | ||
本发明提供了一种电流镜电路,包括:参考电流提供单元,其包括晶体管MN1和晶体管MN2,并且被配置为根据第一电流源Iin来为电流镜电路提供参考电流Iref;电流镜像单元,其包括晶体管MP1和晶体管MP2,并且被配置为根据参考电流Iref来提供镜像电流Iout;以及环路增强缓冲器,其被配置为在晶体管MP1的栅极和漏极之间形成环路反馈。
技术领域
本发明涉及射频集成电路领域,并且具体地,涉及用于一种应用于移动终端的宽带高电源抑制比电流镜电路结构。
背景技术
在通常的混合信号系统产品中往往存在一个主的高电压域,而各个子系统通过使用低压差线性稳压器(LDO)挂载到该主电压域上来实现为各自子系统供电。图1是示出了传统的混合信号系统的示意图。参考图1,由于外部的直接馈通及内部各个模块的动态电流变化通常会导致该主电压域上具有较大的噪声信号。任何需要挂载到该主电压域上的模拟模块都需要重点考虑该噪声可能带来的潜在影响。
发明内容
为了直接利用主电压域的高电压特性,本发明提出了一种可以直接挂载到其上的高电源抑制比(PSR)的电流镜结构,其可以非常有效地抑制电源上的噪声干扰。
本发明的一方面提供一种电流镜电路,包括:参考电流提供单元,其包括晶体管MN1和晶体管MN2,并且被配置为根据第一电流源Iin来为电流镜电路提供参考电流Iref;电流镜像单元,其包括晶体管MP1和晶体管MP2,并且被配置为根据参考电流Iref来提供镜像电流Iout;以及环路增强缓冲器,其被配置为在晶体管MP1的栅极和漏极之间形成环路反馈。
本发明的一方面提供一种电流镜电路,其中,晶体管MN1和晶体管MN2的源极接地,晶体管MN1和晶体管MN2的栅极互连,并且其中,晶体管MN2的漏极与第一电流源Iin连接,并且晶体管MN1的漏极与电流镜像单元连接。
本发明的一方面提供一种电流镜电路,其中,晶体管MP1和晶体管MP2的源极与电源电压vdd连接,晶体管MP1和晶体管MP2的栅极互连,并且其中,晶体管MP1的漏极连接到所述晶体管MN1的漏极并且晶体管MP2的漏极与负载连接以向负载提供镜像电流Iout。
本发明的一方面提供一种电流镜电路,其中,环路增强缓冲器被配置为单端输入单端输出缓冲器结构。
本发明的一方面提供一种电流镜电路,其中,所述环路增强缓冲器包括晶体管MP3,其中,晶体管MP3的栅极连接到晶体管MP1的漏极,晶体管MP3的漏极连接到接地节点,并且晶体管MP3的源极与晶体管MP1的栅极连接。
本发明的一方面提供一种电流镜电路,其中,环路增强缓冲器还包括第二电流源,所述第二电流源被配置为与晶体管MP3的源极连接。
本发明的一方面提供一种电流镜电路,其中,环路增强缓冲器被配置为差分输入单端输出缓冲器结构。
本发明的一方面提供一种电流镜电路,其中,所述环路增强缓冲器包括第一运算放大器OP1,其中,第一运算放大器OP1的+输入端连接到晶体管MP1的漏极,第一运算放大器OP1的-输入端被连接到第一偏置电压Vb,并且第一运算放大器OP1的输出端连接到晶体管MP1的栅极。
本发明的一方面提供一种电流镜电路,其中,环路增强缓冲器还包括第一电容器C1和第一电阻器R1,所述第一电容器C1和第一电阻器R1被配置为串联连接在电源电压和第一运算放大器OP1的输出端之间。
附图说明
图1是示出了传统的混合信号系统的示意图;
图2是示出了传统的电流镜结构的示意图;
图3是示出了传统电流镜结构的电源抑制比曲线的示意图;
图4是示出了根据本发明一个实施例的宽带高电源抑制比电流镜结构的示意图;
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