[发明专利]器件芯片的制造方法在审
| 申请号: | 202211642149.0 | 申请日: | 2022-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN116314023A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
| 发明(设计)人: | 小川雄辉;渡部晃司;桥本一辉;青柳元 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;杨俊波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 器件 芯片 制造 方法 | ||
1.一种器件芯片的制造方法,对被加工物进行分割而制造器件芯片,该被加工物具有正面和背面,该正面由多条交叉的分割预定线划分,在该正面的被划分的各区域内设置有器件,其特征在于,
该器件芯片的制造方法包含如下的步骤:
加工槽形成步骤,沿着该分割预定线对该被加工物进行加工而形成加工槽;
树脂层形成步骤,在该加工槽形成步骤之后,在该被加工物的该正面侧形成树脂层;以及
树脂层分割步骤,在该树脂层形成步骤之后,沿着该被加工物的该分割预定线对该树脂层进行分割。
2.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
该器件芯片的制造方法还包含在该树脂层分割步骤之前在该被加工物的该背面侧粘贴带的带粘贴步骤,
在该树脂层分割步骤中,通过将粘贴于该被加工物的该背面侧的该带扩张而对该树脂层进行分割。
3.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
该器件芯片的制造方法还包含在该树脂层分割步骤之前在该被加工物的该正面侧粘贴带的带粘贴步骤,
在该树脂层分割步骤中,通过将粘贴于该被加工物的该正面侧的该带扩张而对该树脂层进行分割。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
该器件芯片的制造方法在该加工槽形成步骤之前实施如下的步骤:
支承部件固定步骤,将支承部件固定于该被加工物的该正面侧;
背面磨削步骤,在该支承部件固定步骤之后,对该被加工物的该背面侧进行磨削;以及
背面图案形成步骤,在该背面磨削步骤之后,在该被加工物的该背面形成包含导电层和绝缘层中的一方或两方的图案。
5.根据权利要求4所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
该器件芯片的制造方法还包含如下的支承部件去除步骤:在该背面磨削步骤之后且在该加工槽形成步骤之前,将粘贴于该被加工物的该正面侧的该支承部件去除,
在该加工槽形成步骤中,从该正面侧对该被加工物进行加工而形成该加工槽。
6.根据权利要求4所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
在该加工槽形成步骤中,在该被加工物的该正面侧粘贴有该支承部件的状态下,从该背面侧对该被加工物进行加工而形成该加工槽,
在该加工槽形成步骤之后,实施将粘贴于该被加工物的该正面侧的该支承部件去除的支承部件去除步骤。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
在该加工槽形成步骤中,沿着该分割预定线照射对于该被加工物具有吸收性的波长的激光束,由此对该被加工物进行加工而在该被加工物上形成该加工槽。
8.根据权利要求7所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
该器件芯片的制造方法还具有如下的步骤:
保护膜形成步骤,在该加工槽形成步骤之前,在该被加工物的该正面或该背面中的要照射该激光束的一方形成保护膜;以及
等离子蚀刻步骤,在该加工槽形成步骤之后,向该被加工物的该正面或该背面中的该一方提供等离子状态的蚀刻气体,将残留于该加工槽的侧面的加工应变或碎屑去除。
9.根据权利要求1至6中的任意一项所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
在该加工槽形成步骤中,利用圆环状的切削刀具沿着该分割预定线对该被加工物进行切削,由此形成该加工槽。
10.根据权利要求1至6中的任意一项所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
在该加工槽形成步骤中,在该被加工物上形成使该被加工物沿着该分割预定线露出的掩模层,向该被加工物提供等离子化的蚀刻气体,在从该掩模层露出的区域中对该被加工物进行蚀刻,由此形成该加工槽。
11.根据权利要求1至8中的任意一项所述的器件芯片的制造方法,其特征在于,
在该加工槽形成步骤中,形成将该被加工物从该正面贯通至该背面的该加工槽。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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