[发明专利]一种用于电接触基体表面的导电银浆激光熔覆方法在审
| 申请号： | 202211637082.1 | 申请日： | 2022-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN116083899A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 韩丽娟;司晓闯;李凯;张晓敏;何流流;庞亚娟;苗晓军;范艳艳;员飞;牛溪野;井琼琼 | 申请（专利权）人： | 平高集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C24/10 | 分类号： | C23C24/10 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 467001 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 接触 基体 表面 导电 激光 方法 | ||
1.一种用于电接触基体表面的导电银浆激光熔覆方法，其特征在于：将导电银浆涂覆在电接触基体表面，然后对涂覆有导电银浆的电接触基体表面进行激光熔覆处理。
2.根据权利要求1所述的用于电接触基体表面的导电银浆激光熔覆方法，其特征在于：所述导电银浆由银粉和有机载体组成；导电银浆中银粉的质量百分比大于等于80％。
3.根据权利要求2所述的用于电接触基体表面的导电银浆激光熔覆方法，其特征在于：导电银浆中的银粉由微米级银粉和纳米级银粉组成；导电银浆中微米级银粉的含量为74-79％，纳米级银粉的含量为5-11％。
4.根据权利要求3所述的用于电接触基体表面的导电银浆激光熔覆方法，其特征在于：导电银浆中微米级银粉的含量为74-79％，纳米级银粉的含量为5-9％。
5.根据权利要求1-4任一项所述的用于电接触基体表面的导电银浆激光熔覆方法，其特征在于：导电银浆中微米级银粉的粒径为2-5μm；纳米级银粉的粒径为30-40nm。
6.根据权利要求1-4任一项所述的用于电接触基体表面的导电银浆激光熔覆方法，其特征在于：激光熔覆处理所用的激光设备的功率为2800-3200W；激光束光斑焦点的直径为2-4mm；激光束移动速度为3.5-4.5mm/s；相邻两道熔覆层之间的搭接率为35-45％。
7.根据权利要求1-4任一项所述的用于电接触基体表面的导电银浆激光熔覆方法，其特征在于：激光熔覆在惰性气体环境中进行。
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