[发明专利]一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法

权利要求书

1.一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取不同ATH含量的硅橡胶试样；

对不同ATH含量的硅橡胶试样进行太赫兹时域光谱测试，得到不同ATH含量的硅橡胶试样的太赫兹时域谱；

对不同ATH含量的硅橡胶试样的太赫兹时域谱进行变换获得不同ATH含量的硅橡胶试样的太赫兹频域谱；

基于不同ATH含量的硅橡胶试样的太赫兹频域谱，获取域谱幅值并计算得到介电常数；

建立ATH含量与介电常数的关系式，实现ATH含量定量测定。

2.根据权利要求1所述的一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法，其特征在于，所述获取不同ATH含量的硅橡胶试样包括：

对硅橡胶绝缘子随机切取部位作为硅橡胶试样，其中，切取部位的厚度不小于1mm。

3.根据权利要求1所述的一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法，其特征在于，所述太赫兹时域谱的信息包括：

参考信号的相位、参考信号的幅值和参考信号的频率信息；

以及试样信号的相位、试样信号的幅值和试样信号的频率信息。

4.根据权利要求1所述的一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法，其特征在于，所述对不同ATH含量的硅橡胶试样的太赫兹时域谱进行变换获得不同ATH含量的硅橡胶试样的太赫兹频域谱中，对太赫兹时域谱采用快速傅里叶变换得到太赫兹频域谱。

5.根据权利要求1所述的一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法，其特征在于，所述基于不同ATH含量的硅橡胶试样的太赫兹频域谱，获取域谱幅值包括：

根据太赫兹频域谱中的幅值信息，确定HTV硅橡胶中的ATH特征峰的位置；

根据ATH特征峰的位置和幅值信息，获取特征峰面积并确定特征峰面积与ATH含量之间的关系。

6.根据权利要求5所述的一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法，其特征在于，所述ATH特征峰的位置为1.2THz和1.33THz。

7.根据权利要求1所述的一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法，其特征在于，所述计算得到介电常数包括：

对太赫兹频域谱处理得到折射率和消光系数；

基于折射率和消光系数，根据麦克斯韦电磁场理论方程，计算获得太赫兹域的介电常数实部和介电常数虚部。

8.根据权利要求7所述的一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法，其特征在于，所述折射率的表达式为：

式中，n_s(ω)为折射率，φ(ω)为传递函数幅角，ω为频率，c为真空光速，d为试样厚度。

9.根据权利要求1所述的一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法，其特征在于，所述消光系数的表达式为：

式中，κ_s(ω)为消光系数，n_s(ω)为折射率，ω为频率，c为真空光速，d为试样厚度，A(ω)为传递函数幅值。

10.根据权利要求1所述的一种新型HTV硅橡胶中ATH含量测定方法，其特征在于，所述ATH含量与介电常数的关系式为：

y＝0.00704x-0.000785

式中，y为扣处基线后的特征峰介电常数虚部大小之和，x为ATH含量。