[发明专利]集成IPD芯片的滤波器结构、封装模组及制备方法在审
| 申请号: | 202211622379.0 | 申请日: | 2022-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN116131807A | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
| 发明(设计)人: | 蒋品方;朱勇;张巳龙;张磊;林红宽 | 申请(专利权)人: | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/02;H03H3/08 |
| 代理公司: | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 | 代理人: | 韩正魁;王鹏丽 |
| 地址: | 300457 天津市滨海新区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成 ipd 芯片 滤波器 结构 封装 模组 制备 方法 | ||
1.一种集成IPD芯片的滤波器结构,其特征在于包括:
IPD芯片,用于与模组基板电连接;
滤波器芯片,设置于所述IPD芯片的表面,并与所述IPD芯片电连接;
薄膜层,覆盖于所述IPD芯片和所述滤波器芯片的外侧;
塑封层,塑封于所述IPD芯片的表面,以完全覆盖所述薄膜层。
2.如权利要求1所述的滤波器结构,其特征在于所述滤波器芯片包括:
滤波器芯片体,位于所述IPD芯片的表面上方;
导电垫片,形成于所述滤波器芯片体的接合面上,并与所述IPD芯片电连接,以使所述滤波器芯片体的接合面与所述IPD芯片的表面之间形成容纳空腔;其中,所述滤波器芯片体的接合面靠近所述IPD芯片的表面;
叉指换能器,形成于所述滤波器芯片体的接合面上,并位于所述容纳空腔内。
3.如权利要求2所述的滤波器结构,其特征在于:
所述薄膜层替换为挡墙,所述挡墙设置于所述IPD芯片与所述滤波器芯片体之间,以用于阻挡塑封材料进入所述容纳空腔内。
4.如权利要求3所述的滤波器结构,其特征在于:
所述挡墙设置于所述导电垫片的外侧;或,
所述挡墙设置于所述导电垫片的内侧,并位于所述叉指换能器的外侧。
5.如权利要求1所述的滤波器结构,其特征在于:
所述塑封层的塑封材料至少满足:所述塑封材料的颗粒直径大于预设直径;和/或,所述塑封材料的流动速度小于预设流速;和/或,所述塑封材料的粘性大于预设粘性。
6.如权利要求1所述的滤波器结构,其特征在于还包括载板,所述载板的表面设置有多个所述IPD芯片,相邻两个IPD芯片之间具有预设间距,以供切割刀进行单件切割。
7.一种滤波器结构的封装模组,其特征在于包括:
模组基板,所述模组基板内置有预设电路;
如权利要求1~6中任意一项所述的滤波器结构,所述滤波器结构的IPD芯片贴装在所述模组基板的表面,并与所述预设电路电连接。
8.一种集成IPD芯片的滤波器结构的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
在载板的表面设置胶体;
将多个IPD芯片分别粘贴在所述载板表面的预设位置;
将多个滤波器芯片分别贴装在所述多个IPD芯片的表面,使得所述多个滤波器芯片的导电垫片分别与所述多个IPD芯片电连接;
利用聚合物薄膜将全部IPD芯片和全部滤波器芯片覆盖,以形成薄膜层;
利用塑封材料塑封在所述载板的表面,并将所述薄膜层完全覆盖,以形成塑封层;
塑封完成后进行单片切割,并去除所述载板,以形成单个集成IPD芯片的滤波器结构。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于所述利用聚合物薄膜将全部IPD芯片和全部滤波器芯片覆盖,以形成薄膜层替换为:
在每一组IPD芯片与滤波器芯片之间设置挡墙,以使得所述挡墙位于所述滤波器芯片的导电垫片的外侧。
10.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于所述利用聚合物薄膜将全部IPD芯片和全部滤波器芯片覆盖,以形成薄膜层替换为:
在每一组IPD芯片与滤波器芯片之间设置挡墙,以使得所述挡墙位于所述滤波器芯片的导电垫片的内侧,并位于所述滤波器芯片的叉指换能器的外侧。
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