[发明专利]一种LaNx/La/B4C极紫外多层膜反射镜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211621173.6 申请日: 2022-12-16
公开(公告)号: CN116107001A 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 孙航;朱运平;金长利 申请(专利权)人: 苏州宏策光电科技有限公司
主分类号: G02B5/08 分类号: G02B5/08;G02B1/10;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/35
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 刘奇
地址: 215400 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 lanx la b4c 紫外 多层 反射 及其 制备 方法
【说明书】:

发明属于高反射极紫外元件技术领域,提供了一种LaNx/La/Bsubgt;4/subgt;C极紫外多层膜反射镜及其制备方法。本发明的LaNx/La/Bsubgt;4/subgt;C极紫外多层膜反射镜,包括层叠设置在基底上的多周期LaNx/La/Bsubgt;4/subgt;C层;所述多周期LaNx/La/Bsubgt;4/subgt;C层包括若干个层叠设置的LaNx/La/Bsubgt;4/subgt;C层;所述LaNx/La/Bsubgt;4/subgt;C层包括依次层叠设置的LaNx层、La层和Bsubgt;4/subgt;C层;所述LaNx/La/Bsubgt;4/subgt;C中的LaNx层和所述基底接触。本发明在Bsubgt;4/subgt;C层和LaNx层之间引入La层,来减少LaNx和Bsubgt;4/subgt;C之间的相互作用,从而减少界面扩散来增强层间的光学对比度,提高LaNx/La/Bsubgt;4/subgt;C极紫外多层膜反射镜的理论反射率。

技术领域

本发明涉及高反射极紫外元件技术领域,尤其涉及一种LaNx/La/B4C极紫外多层膜反射镜及其制备方法。

背景技术

目前,随着集成电路向小型化和高性能的方向发展,极紫外光刻作为制造超大规模集成电路的一种可能途径的概念已经引起了相当大的关注。极紫外光刻可以进一步减小集成电路的尺寸,降低集成电路的功耗,并提高集成电路的生产率。

极紫外光刻系统主要由3部分组成:极紫外光源系统、极紫外光反射收集系统以及照明曝光刻蚀系统。极紫外光反射收集系统需要配置高反射率多层反射镜,La/B4C多层反射镜被认为是一种最具潜力的高反射率多层反射镜。但因为La/B4C多层反射镜的各膜层较薄且界面扩散严重,各薄层在界面处的混合导致光学对比度降低,从而导致实际应用时,La/B4C多层反射镜的实际反射率相比理论反射率下降15~20%。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种LaNx/La/B4C极紫外多层膜反射镜及其制备方法。本发明提供的LaNx/La/B4C极紫外多层膜反射镜的理论反射率高,且实际应用时,实际反射率相比理论反射率下降的少。

为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:

本发明提供了一种LaNx/La/B4C极紫外多层膜反射镜,包括层叠设置在基底上的多周期LaNx/La/B4C层;

所述多周期LaNx/La/B4C层包括若干个层叠设置的LaNx/La/B4C层;

所述LaNx/La/B4C层包括依次层叠设置的LaNx层、La层和B4C层;

所述LaNx/La/B4C中的LaNx层和所述基底接触;

所述LaNx层中,0x≤1。

优选地,所述LaNx/La/B4C层的单周期厚度为3.38nm。

优选地,所述LaNx层的厚度为1.15nm,所述La层的厚度为0.3nm,所述B4C层的厚度为1.93nm。

优选地,所述多周期LaNx/La/B4C层的周期数为200~250。

优选地,所述基底为玻璃基底或硅片。

本发明还提供了上述技术方案所述的LaNx/La/B4C极紫外多层膜反射镜的制备方法,包括以下步骤:

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