[发明专利]一种LaNx/B4在审

专利信息
申请号: 202211621165.1 申请日: 2022-12-16
公开(公告)号: CN116009130A 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 孙航;朱运平;金长利 申请(专利权)人: 苏州宏策光电科技有限公司
主分类号: G02B5/08 分类号: G02B5/08;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/18
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 刘奇
地址: 215431 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 lanx base sub
【说明书】:

发明属于精密光学元件技术领域,提供了一种LaNx/Bsubgt;4/subgt;C极紫外多层膜反射镜及其制备方法。本发明的LaNx/Bsubgt;4/subgt;C极紫外多层膜反射镜包括依次层叠设置在基底上的打底层、多周期LaNx/Bsubgt;4/subgt;C层和保护层;多周期LaNx/Bsubgt;4/subgt;C层包括若干个层叠设置的LaNx/Bsubgt;4/subgt;C层;LaNx/Bsubgt;4/subgt;C层包括依次层叠设置的LaNx层和Bsubgt;4/subgt;C层。本发明提供的LaNx/Bsubgt;4/subgt;C极紫外多层膜反射镜,相比现有技术中的La/Bsubgt;4/subgt;C多层反射镜,在La层中掺杂了N,降低了LaNx层和Bsubgt;4/subgt;C层之间的层间粗糙度,提高了LaNx层和Bsubgt;4/subgt;C层的光学对比度,提高了多周期LaNx/Bsubgt;4/subgt;C层的质量,提高了LaNx/Bsubgt;4/subgt;C极紫外多层膜反射镜的反射率。

技术领域

本发明涉及密光学元件技术领域,尤其涉及一种LaNx/B4C极紫外多层膜反射镜及其制备方法。

背景技术

现代半导体器件中印刷特征尺寸的不断减小需要在光刻工艺中转向较低的工作波长值,降低这一工作波长需要开发新的光学多层反射涂层。众所周知,基于B的多层反射镜在硼K吸收边缘(λ≈6.6nm)附近可提供极高的理论反射率。因此,La/B4C多层膜反射镜被认为是用于下一代极紫外光刻的最有前景的材料。然而,La/B4C多层膜反射镜应用时,各膜层间不可避免会发生互扩散现象,这会导致多层膜界面变宽,从而显著降低La/B4C多层膜反射镜的实际反射率,使得实际反射率相比理论反射率下降15~20%。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种LaNx/B4C极紫外多层膜反射镜及其制备方法。本发明提供的LaNx/B4C极紫外多层膜反射镜的理论反射率高,且应用时的实际反射率相比理论反射率下降少。

为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:

本发明提供了一种LaNx/B4C极紫外多层膜反射镜,包括依次层叠设置在基底上的打底层、多周期LaNx/B4C层和保护层;

所述多周期LaNx/B4C层包括若干个层叠设置的LaNx/B4C层;

所述LaNx/B4C层包括依次层叠设置的LaNx层和B4C层;

所述LaNx/B4C层中的LaNx层和所述打底层接触;

所述LaNx层中,0x≤1。

优选地,每个周期LaNx/B4C层的总厚度为3.38nm。

优选地,每个周期LaNx/B4C层中LaNx层的厚度为1.3nm,B4C的厚度为2.08nm。

优选地,所述基底包括玻璃基底或硅片。

优选地,所述打底层的材质包括Cr,所述打底层的厚度为5~10nm。

优选地,所述保护层的材质为B4C;所述保护层的厚度为5~10nm。

本发明还提供了上述技术方案所述的LaNx/B4C极紫外多层膜反射镜的制备方法,包括以下步骤:

在基底上制备打底层;

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