[发明专利]一种高致密性的氧化铟铈靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种高致密性氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

S1.称取氧化铈粉末、氧化铟粉末备用；

S2.将氧化铈粉末、第一分散剂和纯水倒入容器中进行预分散，分散均匀后经湿法研磨得到浆料一；

S3.向浆料一中加入氧化铟粉末和第二分散剂进行预分散，分散均匀后经湿法研磨得到浆料二；

S4.将浆料二进行喷雾造粒、混料和筛分，得到氧化铟铈前驱体；

S5.对氧化铟铈前驱体进行预处理，所述预处理为在600～800℃氧气氛围中常压烧结3～6h；

S6.将预处理后的氧化铟铈前驱体装入模具，放入烧结炉中，在真空环境下升温至烧结温度，再进行加压烧结，得到一种高致密性氧化铟铈靶材。

2.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，S1步骤中所述氧化铈粉末与所述氧化铟粉末的质量比为0.1～2:98～99.9，所述氧化铈粉末的纯度为4N、粒径为120～270nm，所述氧化铟粉末的纯度为4N、粒径为120～270nm。

3.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，S2步骤中所述第一分散剂为聚乙烯吡咯烷酮、十二烷基苯磺酸钠或十六烷基苯磺酸钠中的一种，所述第一分散剂质量占氧化铈粉末、第一分散剂和纯水总质量的1％～10％。

4.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，S2步骤中所述预分散时间为15～35min；所述湿法研磨的研磨转速为500～1800r/min，研磨时间为8～18h。

5.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，S2步骤中所述浆料一的固含量为30～60wt％，D50＜1μm。

6.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，S3步骤中所述第二分散剂为聚乙烯吡咯烷酮、十二烷基苯磺酸钠或十六烷基苯磺酸钠中的一种，所述第二分散剂质量占氧化铟粉末、第二分散剂和纯水总质量的1～10％；S3步骤中所述预分散时间为15～35min；所述湿法研磨的研磨转速为500～1800r/min，研磨时间为6～15h。

7.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，S3步骤中所述浆料二的固含量为30～60wt％，D50＜1μm。

8.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，S6步骤中所述升温至烧结温度为采用速热装置以5～15℃/min匀速升温至1400～1550℃；所述加压烧结为在35～50MPa下进行保温保压6～10h。

9.根据权利要求1所述的一种高致密性氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，S6步骤还包括在所述加压烧结后采用快冷装置以10～20℃/min匀速降温至50℃。

10.一种采用如权利要求1～9任一项所述的方法制备得到的高致密性氧化铟铈靶材。