[发明专利]用于线切割硅棒的方法、设备及硅片

权利要求书

1.一种用于线切割硅棒的方法，其特征在于，所述方法包括：

采用第一线切割工艺参数组线切割第一硅棒以获得多个样本硅片；

获得所述样本硅片上的线切割线痕的起伏角度；

基于所述起伏角度判断是否存在所述线切割线痕从高效切割面向低效切割面的偏移趋势；

基于判断结果，根据所述起伏角度的大小，调整所述第一线切割工艺参数组中的一个或更多个线切割工艺参数以形成第二线切割工艺参数组；

采用所述第二线切割工艺参数组线切割第二硅棒。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述线切割线痕的所述起伏角度为相邻的阴线痕和阳线痕所在的平面与标准切割面之间的夹角。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当获得的所述起伏角度小于160°，则判定为存在所述线切割线痕从所述高效切割面向所述低效切割面的偏移趋势。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述线切割工艺参数组至少包括：切割线的张力、所述硅棒相对于所述切割线的进给速度、切割液的浓度。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述获得所述样本硅片上的线切割线痕的起伏角度包括：

将所述样本硅片的一部分表面抛光至设定角度的倾斜镜面；

利用显微镜在所述样本硅片的表面的未抛光部分与已抛光部分之间的分界处测量所述线切割线痕的所述起伏角度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将所述样本硅片的一部分表面抛光至设定角度的倾斜镜面包括：使用第一抛光垫和第二抛光垫分别执行第一阶段的抛光和第二阶段的抛光，其中，所述第一抛光垫对所述硅片的抛光量指标大于所述第二抛光垫对所述硅片的抛光量。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一阶段的抛光的持续时间小于第二阶段的抛光的持续时间。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，使用所述第一抛光垫抛光时，所述第一抛光垫的转速在20r/min至40r/min之间；

使用所述第二抛光垫抛光时，所述第二抛光垫的转速在50r/min至70r/min之间。

9.一种线切割设备，其特征在于，所述线切割设备用于执行根据权利要求1至8中任一项所述的方法。

10.一种硅片，其特征在于，所述硅片通过使用根据权利要求1至8中任一项所述的方法制成。