[发明专利]温补晶振温度补偿测试系统及方法在审
申请号: | 202211601048.9 | 申请日: | 2022-12-12 |
公开(公告)号: | CN116027140A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 张旭东;王松杰;张永斌;刘松;廖兴才;孙鹏;魏金鑫 | 申请(专利权)人: | 北京晨晶电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/01 | 分类号: | G01R31/01;G01R23/02;G01R1/04 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 贾莲莲 |
地址: | 100020*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温补晶振 温度 补偿 测试 系统 方法 | ||
1.一种温补晶振温度补偿测试系统,其特征在于,包括:
测试上位机;
频率源,所述频率源用于提供频率基准;
高低温试验箱,所述高低温试验箱与所述测试上位机信号连接,所述测试上位机用于设置所述高低温试验箱的温度;
多个测试电路板,所述多个测试电路板位于所述高低温试验箱内,每个测试电路板与所述测试上位机信号连接,且与所述频率源信号连接;
每个测试电路板包括FPGA测频电路、ARM控制电路和多个TCXO测试电路;
所述FPGA测频电路用于根据所述测试上位机发送的控制指令测量每个测试电路板上的温补晶振在不同温度下的频率;
每个TCXO测试电路用于采集每个TCXO测试电路对应的温补晶振在不同温度下的频率,所述TCXO测试电路与每个测试电路板上的温补晶振一一对应;
所述ARM控制电路用于根据每个温补晶振在不同温度下的频率和所述频率源的频率之间差值,确定每个温补晶振在不同温度下的压控电压,使得每个温补晶振在不同温度下的频率等于所述频率源的频率;
所述测试上位机用于根据每个温补晶振的压控电压确定每个温补晶振的补偿参数,将每个温补晶振的补偿参数写回每个温补晶振。
2.根据权利要求1所述的温补晶振温度补偿测试系统,其特征在于,所述FPGA测频电路用于:
在接收到所述测试上位机发送的控制指令后,使用计数器对每个温补晶振的频率信号的下降沿进行计数;
在对所述频率信号的下降沿计数完成后,中断所述频率信号,并对所述计数器进行清零,将所述下降沿的计数作为每个温补晶振的频率进行锁存。
3.根据权利要求1所述的温补晶振温度补偿测试系统,其特征在于,所述ARM控制电路用于根据每个温补晶振在不同温度下的频率和所述频率源的频率之间的差值,基于PI控制算法调节每个温补晶振的压控电压,使得每个温补晶振在不同温度下的频率等于所述频率源的频率。
4.根据权利要求1-3任一所述的温补晶振温度补偿测试系统,其特征在于,所述测试上位机用于根据每个温补晶振在不同温度下的压控电压,得到所述压控电压与所述温度之间的第一关系曲线;
从所述第一关系曲线中选择多个点进行组合,得到每种组合对应的所述压控电压与所述温度之间的第二关系曲线;
计算每个所述第二关系曲线与所述第一关系曲线之间同一温度对应的压控电压之间的差值;
计算每个第二关系曲线中所有温度对应的差值的平均值,根据最小平均值对应的组合确定每个温补晶振的补偿参数。
5.根据权利要求1-3任一所述的温补晶振温度补偿测试系统,其特征在于,所述测试上位机用于将每个温补晶振的默认参数写入每个温补晶振;
所述FPGA测频电路还用于在所述高低温试验箱内的温度为常温的情况下,测量每个温补晶振在所述默认参数下的频率;
所述测试上位机用于根据每个温补晶振在默认参数下的频率和所述频率源的频率之间差值,确定每个温补晶振的频率是否正常。
6.一种温补晶振温度补偿测试方法,其特征在于,包括:
通过测试上位机设置高低温试验箱的温度;
通过每个测试电路板中的FPGA测频电路根据所述测试上位机发送的控制指令,测量所述高低温试验箱内每个测试电路板上的温补晶振在不同温度下的频率;
通过每个测试电路板中的各TCXO测试电路采集各TCXO测试电路对应的温补晶振在不同温度下的频率,所述TCXO测试电路与每个测试电路板上的温补晶振一一对应;
通过每个测试电路板中的ARM控制电路根据每个温补晶振在不同温度下的频率和频率源的频率之间的差值,确定每个温补晶振在不同温度下的压控电压,使得每个温补晶振在不同温度下的频率等于所述频率源的频率;
通过所述测试上位机根据每个温补晶振的压控电压确定每个温补晶振的补偿参数,将每个温补晶振的补偿参数写回每个温补晶振。
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