[发明专利]一种利用顶部-内部籽晶熔渗生长法制备钇钡铜氧超导块材的方法在审

专利信息
申请号: 202211600690.5 申请日: 2022-12-12
公开(公告)号: CN116397313A 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 杨万民;阿卜力孜·阿卜来提 申请(专利权)人: 陕西师范大学
主分类号: C30B1/12 分类号: C30B1/12;C30B29/22
代理公司: 西安赛嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 61275 代理人: 王伟超
地址: 710062 陕西省西安市长*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 顶部 内部 籽晶 生长 法制 备钇钡铜氧 超导 方法
【权利要求书】:

1.一种利用顶部-内部籽晶熔渗生长法制备织构钇钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:

S1:配制固相源粉;

S2:配制液相源粉;

S3:制备钕钡铜氧籽晶(1);

S4:压制固相先驱块(2)

取固相源粉与钕钡铜氧籽晶(1),将固相源粉分次放入模具内,每次需修平模具内的固相源粉并在其上表面设置钕钡铜氧籽晶(1),最后压制成含有内部籽晶的固相先驱块(2);

S5:取液相源粉,压制成液相先驱块(3);

S6:取Yb2O3粉,压制支撑块(4);

S7:装配坯体

将固相先驱块(2)放置在液相先驱块(3)的上表面,液相先驱块(3)放置在Yb2O3支撑块(4)上表面,Yb2O3支撑块(4)放置在若干MgO单晶块(5)上表面,MgO单晶块(5)放置在Al2O3垫片(6)上表面;最后将若干钕钡铜氧籽晶(1)放置在固相先驱块(2)的上表面;

S8:采用顶部-内部籽晶熔渗生长方法制备织构钇钡铜氧块材

将装配好的坯体放入晶体生长炉中,以每小时80-120℃的速率上升至910℃,保温10小时,随即以每小时60℃的升温速率升温至1043-1048℃,保温1.5-2.5小时;再以每小时60℃的速率降温至1009-1013℃,然后,以0.2-0.5℃的速率慢冷至980-993℃,随即炉自然冷却至室温,得到顶部-内部籽晶诱导生长的织构钇钡铜氧块材;

S9:渗氧处理

将S8中得到的织构钇钡铜氧块材置入石英管式炉中,在流通氧气气氛中,440-410℃温区中加热200小时,得到织构钇钡铜氧超导块材。

2.如权利要求1所述的一种利用顶部-内部籽晶熔渗生长法制备织构钇钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:步骤S1具体包括:

将BaCO3与CuO按摩尔比为1:1混合,用固相反应法制成BaCuO2,将Y2O3与BaCuO2按摩尔比为1:1.2的比例混合均匀,作为固相源粉。

3.如权利要求1所述的一种利用顶部-内部籽晶熔渗生长法制备织构钇钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:步骤S2具体包括:

将Y2O3与BaCuO2、CuO按照摩尔比为1:10:6混合均匀,作为液相源粉。

4.如权利要求1所述的一种利用顶部-内部籽晶熔渗生长法制备织构钇钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:步骤S3具体包括:

将Nd2O3与BaCO3、CuO粉按摩尔比为1:1:1混合,用固相反应法制成Nd2BaCuO5粉,再将Nd2O3与BaCO3、CuO粉按摩尔比为1:4:6混合,用固相反应法制成Nd1Ba2Cu3O7-x粉,式中x∈[0,1];将Nd2BaCuO5粉体与Nd1Ba2Cu3O7-x粉体按照质量比1:3混合均匀,压制成钕钡铜氧先驱块,用顶部晶籽熔融织构法在晶体生长炉中进行生长,得到钕钡铜氧块材,取自然解理的2×2×2mm3钕钡铜氧小方块晶体作为钕钡铜氧籽晶(1)。

5.如权利要求1所述的一种利用顶部-内部籽晶熔渗生长法制备织构钇钡铜氧超导块材的方法,其特征在于:所述固相先驱块(2)与所述液相先驱块(3)的质量比为3:5。

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