[发明专利]温度检测电路以及包含该温度检测电路的芯片和电子设备在审
申请号: | 202211586900.X | 申请日: | 2022-12-09 |
公开(公告)号: | CN116124311A | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 李翠雯 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | G01K7/01 | 分类号: | G01K7/01 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;杨思雨 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 检测 电路 以及 包含 芯片 电子设备 | ||
1.一种温度检测电路,包括:电压偏置模块、电流镜模块、第二晶体管以及输出模块;
所述电压偏置模块包括第一晶体管,所述电压偏置模块被配置为利用所述第一晶体管的第一端的电流、所述第一晶体管的控制端的电流在所述第一晶体管的第二端产生正温度系数电压,以及根据所述正温度系数电压向所述第二晶体管提供一偏置电压,其中,所述第一晶体管的控制端接一参考电压;
所述第二晶体管具有接收所述偏置电压的控制端,被配置为根据所述偏置电压控制自身第一端的电压;
所述电流镜模块被配置为通过镜像钳位使得所述第一晶体管的第一端的电流和所述第二晶体管的第一端的电流相等;
所述输出模块被配置为根据所述第二晶体管的第一端的电压产生温度检测信号。
2.根据权利要求1所述的温度检测电路,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管均为工作在放大区的双极性晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制端为基极,所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一端为集电极,所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端为发射极。
3.根据权利要求2所述的温度检测电路,其中,当处于相同状态下时,所述第一晶体管和所述第二晶体管的直流放大倍数相同。
4.根据权利要求2所述的温度检测电路,其中,所述电流镜模块包括:
第三晶体管,所述第三晶体管的第一端与电源电压连接,所述第三晶体管的控制端与所述第三晶体管的第二端短接,所述第三晶体管的第二端与所述第一晶体管的第一端连接;
第四晶体管,所述第四晶体管的第一端与所述电源电压连接,所述第四晶体管的控制端与所述第三晶体管的控制端连接,所述第四晶体管的第二端与所述第二晶体管的第一端连接;
且所述电源电压大于所述第三晶体管的控制端和第一端之间的电压与所述第一晶体管的控制端的参考电压之和。
5.根据权利要求1所述的温度检测电路,其中,所述电压偏置模块还包括:
依次连接在所述第一晶体管的第二端和地之间的第一电阻、第二电阻和第三电阻;
其中,所述第一电阻和所述第二电阻的公共节点用于产生所述偏置电压。
6.根据权利要求5所述的温度检测电路,其中,还包括:
第五晶体管,所述第五晶体管的第一端与所述第二电阻和所述第三电阻的公共节点连接,所述第五晶体管的控制端接收所述温度检测信号,所述第五晶体管的第二端与地连接。
7.根据权利要求1-6任一项所述的温度检测电路,其中,所述参考电压为所述温度检测电路所在芯片内部产生的带隙基准电压;
或者,所述参考电压为所述温度检测电路所在芯片内部产生的带隙基准电压的分压信号。
8.根据权利要求1-6任一项所述的温度检测电路,其中,所述输出模块用于将所述第二晶体管的第一端的电压进行整形,以在输出端产生温度检测信号;
所述输出模块包括至少两个级联的施密特触发器。
9.一种芯片,其中包括权利要求1-8任一项所述的温度检测电路。
10.一种电子设备,其中包括权利要求1-8任一项所述的温度检测电路或者权利要求9所述的芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圣邦微电子(北京)股份有限公司,未经圣邦微电子(北京)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211586900.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。